一种三氧化二铁薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910152888.X

申请日：

2009-09-18

公开(公告)号：

CN101693600A

公开(公告)日：

2010-04-14

发明(设计)人：

赵士超吕燕飞季振国

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

C03C1727

IPC分类号：

C01G4906

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

杜军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-14	公开	公开
2010-05-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101002366199 IPC(主分类):C03C 17/27 专利申请号:200910152888X 申请日:20090918
2012-04-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101330926041 IPC(主分类):C03C 17/27 专利申请号:200910152888X 公开日:20100414

共 50 条

[1]

一种四氧化三钴薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

吕燕飞 ;

霍德璇 ;

季振国 .

中国专利 :CN101665329A ,2010-03-10

[2]

一种四氧化三锰薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

吕燕飞 ;

季振国 .

中国专利 :CN101693599A ,2010-04-14

[3]

一种氧化铜薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

吕燕飞 ;

季振国 .

中国专利 :CN101693601A ,2010-04-14

[4]

一种氧化锌薄膜的制备方法 [P].

赵士超 ;

吕燕飞 ;

季振国 .

中国专利 :CN101693602A ,2010-04-14

[5]

一种α型三氧化二铁薄膜的制备方法 [P].

聂祚仁 ;

李群艳 ;

娄载亮 ;

韦奇 ;

王志宏 .

中国专利 :CN101314524A ,2008-12-03

[6]

一种三氧化二铁/褶皱石墨烯薄膜材料的制备方法 [P].

苗中正 ;

张立云 ;

吴帅 .

中国专利 :CN110474048A ,2019-11-19

[7]

一种片状三氧化二铁的制备方法 [P].

杨萍 ;

赵杰 ;

王丹 ;

王俊鹏 .

中国专利 :CN103833086A ,2014-06-04

[8]

一种形貌可控的三氧化二铁纳米材料的制备方法及应用 [P].

朱脉勇 ;

陈齐 ;

吴述平 ;

申小娟 ;

张侃 ;

李松军 .

中国专利 :CN108493004A ,2018-09-04

[9]

一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法 [P].

车延科 ;

刘阿楠 ;

章宇超 ;

宋文静 ;

赵进才 ;

马万红 ;

陈春城 ;

籍宏伟 .

中国专利 :CN107326385B ,2017-11-07

[10]

一种三氧化二铁的制备方法 [P].

梁新卫 ;

邢保帅 ;

梁怡琳 .

中国专利 :CN119797441A ,2025-04-11

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