一种低压屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110823695.3

申请日：

2021-07-21

公开(公告)号：

CN113517350A

公开(公告)日：

2021-10-19

发明(设计)人：

陈雪萌王艳颖钱晓霞汤艺

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区清能路85号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423

代理机构：

杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人：

陈琦;陈继亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210721
2021-10-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种低压屏蔽栅MOSFET器件 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

钱晓霞 ;

汤艺 .

中国专利 :CN215578581U ,2022-01-18

[2]

一种高雪崩耐量的屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

王艳颖 .

中国专利 :CN113224135A ,2021-08-06

[3]

一种高雪崩耐量的屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

王艳颖 .

中国专利 :CN113224135B ,2024-10-22

[4]

屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

安秋爽 ;

徐承福 ;

徐旭东 ;

丛茂杰 ;

陆珏 .

中国专利 :CN117790576A ,2024-03-29

[5]

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114975099B ,2025-08-19

[6]

屏蔽栅氧化镓MOSFET器件及其制作方法 [P].

冯倩 ;

罗子翔 ;

王文涛 ;

蔡云匆 ;

武文凯 ;

刘民伟 ;

张进成 .

中国专利 :CN117558758A ,2024-02-13

[7]

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114496756A ,2022-05-13

[8]

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114496755A ,2022-05-13

[9]

一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN114496755B ,2025-05-02

[10]

一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

黄薛佺 ;

周锦程 ;

杨卓 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN115036359A ,2022-09-09

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