CdS形貌与S空位调节C-H活化构筑惰性化学键

被引:0
申请号
CN202210489202.1
申请日
2022-05-07
公开(公告)号
CN114716394A
公开(公告)日
2022-07-08
发明(设计)人
蒋和雁 胡祖杰
申请人
申请人地址
400067 重庆市南岸区学府大道19号,重庆工商大学环资学院催化实验室
IPC主分类号
C07D30706
IPC分类号
C07D31712 C07D31912 C07D30904 C07D30712 C07D30710 C07D30716 C07D40506 C07C23112 C07C23303 C07C274 C07C1512 C07C24902 C07C25124 C07C31918 C07C32120 C07C5115 C07C6306 C07C5730 B01J2704
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 2 条
[1]
一种光催化活化四氢呋喃α位C-H键构筑C-C键的方法 [P]. 
吴骊珠 ;
宋子琪 ;
乔佳 ;
佟振合 .
中国专利 :CN115385876B ,2024-01-30
[2]
一种光催化活化四氢呋喃α位C-H键构筑C-C键的方法 [P]. 
宋子琪 ;
吴骊珠 ;
乔佳 ;
佟振合 .
中国专利 :CN115385876A ,2022-11-25