电容器的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN02120227.3
申请日
2002-05-20
公开(公告)号
CN1459840A
公开(公告)日
2003-12-03
发明(设计)人
林大成 季明华
申请人
申请人地址
台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路121号
IPC主分类号
H01L2170
IPC分类号
代理机构
北京集佳专利商标事务所
代理人
王学强
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
电容器和制造电容器的方法 [P]. 
安启玓 ;
陈建宏 ;
詹玉娟 .
中国专利 :CN102969342A ,2013-03-13
[2]
MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路 [P]. 
刘思麟 ;
洪照俊 ;
彭永州 .
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[3]
电容器及其制造方法 [P]. 
金敬锡 ;
邢庸宇 ;
朴栽永 ;
李铉德 ;
任基彬 ;
李昱烈 ;
李高银 ;
金永镇 ;
南硕祐 .
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[4]
集成电路的电容器及其制造方法 [P]. 
杨富量 ;
郑湘原 ;
何游俊 ;
刘滨 ;
葛兆民 .
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[5]
薄层电容器及薄层电容器的制造方法 [P]. 
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[6]
用于制造电容器的夹具、电容器的制造方法以及电容器 [P]. 
内藤一美 ;
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MIM电容器及其制造方法 [P]. 
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电容器以及制造电容器的方法 [P]. 
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[9]
电容器及制造电容器的方法 [P]. 
H·-J·巴斯 ;
P·菲斯纳 ;
E·卡塔里奥鲁 ;
U·科斯特 ;
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中国专利 :CN1751367B ,2006-03-22
[10]
电容器和电容器的制造方法 [P]. 
武宜成 ;
增田秀俊 .
中国专利 :CN103985541A ,2014-08-13