应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110206037.6

申请日：

2011-07-22

公开(公告)号：

CN102263015A

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

周旭亮于红艳王宝军潘教青王圩

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2118

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-14	授权	授权
2012-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101169311090 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2011102060376 申请日:20110722
2011-11-30	公开	公开

共 50 条

[1]

制备硅基砷化镓材料的方法 [P].

周旭亮 ;

于红艳 ;

张心 ;

潘教青 ;

王圩 .

中国专利 :CN102534768B ,2012-07-04

[2]

运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 [P].

周旭亮 ;

于红艳 ;

王宝军 ;

潘教青 ;

王圩 .

中国专利 :CN102244007A ,2011-11-16

[3]

倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 [P].

周旭亮 ;

于红艳 ;

王宝军 ;

潘教青 ;

王圩 .

中国专利 :CN102243994B ,2011-11-16

[4]

一种柔性硅基砷化镓电池的制备方法 [P].

刘文峰 ;

成文 ;

姬常晓 .

中国专利 :CN103489958A ,2014-01-01

[5]

一种锗-硅基砷化镓材料及其制备方法和应用 [P].

张建军 ;

王霆 ;

张结印 .

中国专利 :CN110364428A ,2019-10-22

[6]

硅基砷化镓外延结构、激光器及制备方法 [P].

田宇 ;

陈龙 .

中国专利 :CN115938916B ,2025-10-14

[7]

高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 [P].

周旭亮 ;

于红艳 ;

米俊萍 ;

潘教青 ;

王圩 .

中国专利 :CN103311106A ,2013-09-18

[8]

一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法 [P].

王朋 ;

龚谦 ;

曹春芳 ;

丁彤彤 .

中国专利 :CN105826169A ,2016-08-03

[9]

一种硅基半绝缘砷化镓衬底的制备方法 [P].

周旭亮 ;

于红艳 ;

李士颜 ;

潘教青 ;

王圩 .

中国专利 :CN103811305A ,2014-05-21

[10]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN109801836A ,2019-05-24

← 1 2 3 4 5 →