氢传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080050333.9

申请日：

2020-07-10

公开(公告)号：

CN114207415A

公开(公告)日：

2022-03-18

发明(设计)人：

徐亨卓韩承益李英安

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道华城市

IPC主分类号：

G01N2178

IPC分类号：

G01N3110 B01J2342

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

延美花;刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-18	公开	公开
2022-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/78 申请日:20200710

共 50 条

[1]

氢传感器 [P].

内山直树 ;

松本博幸 ;

中林正刚 .

中国专利 :CN101449147A ,2009-06-03

[2]

图像传感器及其制造方法 [P].

关根裕之 ;

石野隆行 ;

山本祐辅 ;

畠泽良和 ;

田村文识 .

中国专利 :CN107134467A ,2017-09-05

[3]

传感器及其制造方法 [P].

陈志源 ;

詹姆斯·G·费兰札 ;

克莱文·沈 ;

安东尼·J·罗特费尔德 .

中国专利 :CN102034833B ,2011-04-27

[4]

图像传感器及其制造方法 [P].

关根裕之 ;

石野隆行 ;

浮田亨 ;

田村文识 ;

竹知和重 .

中国专利 :CN104637962B ,2015-05-20

[5]

光传感器及其制造方法 [P].

吴在焕 ;

李源规 ;

陈圣铉 ;

张荣真 ;

崔宰凡 .

中国专利 :CN102593231B ,2012-07-18

[6]

图像传感器及其制造方法 [P].

洪志镐 .

中国专利 :CN101320741B ,2008-12-10

[7]

CO传感器及其制造方法 [P].

尾崎康隆 ;

铃木祥代 .

中国专利 :CN1144040C ,2000-02-16

[8]

氢传感器 [P].

植田敏嗣 ;

大井川宽 .

中国专利 :CN108027333A ,2018-05-11

[9]

氢传感器 [P].

内山直树 ;

吉村和记 .

中国专利 :CN101680863B ,2010-03-24

[10]

氢传感器及其制备方法 [P].

李禹荣 ;

白智善 ;

张炳镇 .

中国专利 :CN107102033B ,2017-08-29

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