发光物质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010185274.4

申请日：

2005-01-17

公开(公告)号：

CN101870868A

公开(公告)日：

2010-10-27

发明(设计)人：

冈朵拉罗夫瓦特涂斯李贞勋

申请人：

申请人地址：

韩国首尔市衿川区加山洞148-29

IPC主分类号：

C09K1164

IPC分类号：

C09K1166 C09K1159 C09K1175 C09K1173 C09K1171 C09K1158 H01L3350

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-05	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101451189901 IPC(主分类):C09K 11/64 专利申请号:2010101852744 变更事项:申请人变更前:汉城半导体股份有限公司变更后:首尔半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:韩国首尔市衿川区加山洞148-29 变更后:韩国首尔市衿川区加山洞148-29 变更事项:共同申请人变更前:罗夫冈朵拉;涂斯瓦特变更后:罗夫冈朵拉;涂斯瓦特
2010-10-27	公开	公开
2014-11-26	授权	授权
2010-12-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101021884850 IPC(主分类):C09K 11/64 专利申请号:2010101852744 申请日:20050117
2012-09-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101451189902 IPC(主分类):C09K 11/64 专利申请号:2010101852744 变更事项:申请人变更前权利人:首尔半导体股份有限公司变更后权利人:首尔半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔市衿川区加山洞148-29 变更后权利人:韩国首尔市衿川区加山洞148-29 变更事项:共同申请人变更前权利人:罗夫冈朵拉;涂斯瓦特变更后权利人:无登记生效日:20120806

共 50 条

[1]

发光物质 [P].

冈朵拉罗夫 ;

瓦特涂斯 ;

李贞勋 .

中国专利 :CN1706910A ,2005-12-14

[2]

发光物质 [P].

罗夫·冈朵拉 ;

涂斯·瓦特 ;

李贞勋 .

中国专利 :CN101358131B ,2009-02-04

[3]

发光物质 [P].

冈朵拉罗夫 ;

瓦特涂斯 ;

李贞勋 .

中国专利 :CN101864304B ,2010-10-20

[4]

发光物质 [P].

冈朵拉罗夫 ;

瓦特涂斯 ;

李贞勋 .

中国专利 :CN101864301A ,2010-10-20

[5]

发光物质 [P].

冈朵拉罗夫 ;

瓦特涂斯 ;

李贞勋 .

中国专利 :CN101967376A ,2011-02-09

[6]

发光物质 [P].

H·温克勒 ;

P·巴内考 ;

C·库恩 ;

R·派特里 ;

T·沃斯格罗内 ;

T·朱斯特尔 ;

D·乌利希 ;

A·卡特尔尼科瓦斯 ;

D·杜兹扎克 .

中国专利 :CN102725378B ,2012-10-10

[7]

发光物质 [P].

H·温克勒 ;

R·派特里 ;

T·沃斯格罗内 ;

C·汉佩尔 ;

A·本克尔 .

中国专利 :CN104870604A ,2015-08-26

[8]

发光物质 [P].

H·温克勒 ;

A·本克尔 ;

R·派特里 ;

T·沃斯格罗内 .

中国专利 :CN102906222B ,2013-01-30

[9]

高效发光物质 [P].

T·菲德勒 ;

F·杰曼 .

中国专利 :CN1886482A ,2006-12-27

[10]

发光物质 [P].

M·詹森 ;

H·卡克马克 .

中国专利 :CN101595200A ,2009-12-02

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