像素化闪烁晶体薄膜及其制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280035759.2

申请日：

2012-05-16

公开(公告)号：

CN103917895B

公开(公告)日：

2014-07-09

发明(设计)人：

李秋莹于波于洪波

申请人：

申请人地址：

130022 吉林省长春市南关区东南湖大路天骄大厦A座1092室

IPC主分类号：

G01T120

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李勇;陈长会

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101602153231 IPC(主分类):G01T 1/20 专利申请号:2012800357592 申请日:20120516
2014-07-09	公开	公开
2016-06-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种像素化的柔性复合闪烁薄膜及其制备方法和应用 [P].

李琳 ;

高凯 ;

蔺涛 ;

孙婕 .

中国专利 :CN120865885A ,2025-10-31

[2]

闪烁晶体及其制造方法和应用 [P].

P·多伦波斯 ;

C·W·E·范埃克 ;

H·－U·格德尔 ;

K·W·克雷默 ;

E·V·D·范格夫 .

中国专利 :CN100413939C ,2003-03-19

[3]

闪烁晶体及其制造方法和应用 [P].

P·多伦波斯 ;

C·W·E·范埃克 ;

H·－U·格德尔 ;

K·W·克雷默 ;

E·V·D·范洛夫 .

中国专利 :CN1404523A ,2003-03-19

[4]

一种长余辉闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

王帅华 ;

张楠 ;

吴少凡 ;

黄鑫 ;

郑熠 .

中国专利 :CN115678556A ,2023-02-03

[5]

一种硅酸铋闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

熊巍 ;

周尧 ;

袁晖 .

中国专利 :CN103643293A ,2014-03-19

[6]

光子晶体薄膜及其制备方法和应用 [P].

张建安 ;

张孟 ;

吴明元 ;

吴庆云 ;

杨建军 ;

刘久逸 .

中国专利 :CN114031946A ,2022-02-11

[7]

闪烁晶体封装方法、闪烁晶体封装结构及其应用 [P].

魏建德 ;

佘建军 ;

方声浩 ;

叶宁 ;

张志诚 .

中国专利 :CN109459782A ,2019-03-12

[8]

铬离子掺杂的近红外闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

李阳 ;

李帅 ;

吴凯进 ;

高泽亮 ;

付秀伟 .

中国专利 :CN120889031A ,2025-11-04

[9]

一种多色稀土闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

王鹏焜 ;

郑发鲲 ;

郭国聪 ;

王帅华 ;

李宝义 ;

钱瑞轩 .

中国专利 :CN120441853A ,2025-08-08

[10]

共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

吴云涛 ;

任国浩 ;

陈晓峰 ;

李焕英 ;

潘尚可 .

中国专利 :CN103388179B ,2013-11-13

← 1 2 3 4 5 →