一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910147275.0

申请日：

2019-02-27

公开(公告)号：

CN109750266A

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

殷红李宇婧高伟

申请人：

申请人地址：

130000 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1406 C30B2300 C30B2938

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

赵晓琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20190227
2019-12-31	授权	授权
2019-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法 [P].

殷红 ;

李宇婧 ;

高伟 ;

张誉元 ;

何月 ;

孙晓燕 .

中国专利 :CN109161844B ,2019-01-08

[2]

制备氮化硼薄膜的方法与氮化硼薄膜 [P].

郭文哲 ;

李文亮 ;

李豪浚 ;

郭原良 ;

平欣 ;

周炎霖 ;

刘建和 ;

蔡明新 .

中国专利 :CN119287339A ,2025-01-10

[3]

一种硼碳氮薄膜的制备方法 [P].

吕燕飞 ;

蔡庆锋 ;

彭雪 ;

赵士超 .

中国专利 :CN113151803A ,2021-07-23

[4]

一种纤锌矿型氮化硼的制备方法、纤锌矿型氮化硼和氮化硼热导率的调控方法 [P].

吴震 ;

王小寒 ;

郭立童 .

中国专利 :CN119143088A ,2024-12-17

[5]

立方氮化硼晶体的制造方法 [P].

马少彬 .

中国专利 :CN104667826B ,2015-06-03

[6]

立方氮化硼晶体的制造方法 [P].

马少彬 .

中国专利 :CN104607110B ,2015-05-13

[7]

氮化硼及生产氮化硼的方法 [P].

纳拉扬·S·霍斯马内 ;

阿马特亚·扎克拉巴蒂 ;

谢娜·M·斯坦利 .

中国专利 :CN106414311A ,2017-02-15

[8]

一种均质氮化硼薄膜及高效制备氮化硼薄膜的方法 [P].

李爱军 ;

海维斌 ;

彭雨晴 ;

江文倩 ;

贺杜炜 ;

王启帆 .

中国专利 :CN118186365A ,2024-06-14

[9]

一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用 [P].

郑伟 ;

刘书跃 ;

何军舫 ;

王军勇 .

中国专利 :CN121228341A ,2025-12-30

[10]

一种氮化硼晶体及其制备方法 [P].

邢孟江 ;

樊庆扬 ;

代传相 ;

邢孟道 ;

刘永红 .

中国专利 :CN114293259A ,2022-04-08

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