半导体受光元件和照度传感器

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专利类型
发明
申请号
CN200810213000.4
申请日
2008-08-20
公开(公告)号
CN101414612A
公开(公告)日
2009-04-22
发明(设计)人
富田宣子
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L27144
IPC分类号
G01J142 G01J144
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司
代理人
黄纶伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体光传感器 [P]. 
高村文雄 ;
小池诚二 ;
中村大辅 ;
府川治朗 .
中国专利 :CN100511724C ,2007-08-01
[2]
半导体受光元件 [P]. 
名田允洋 ;
吉松俊英 ;
中岛史人 ;
山田友辉 .
中国专利 :CN113678266A ,2021-11-19
[3]
半导体受光元件 [P]. 
名田允洋 ;
吉松俊英 ;
中岛史人 ;
山田友辉 .
日本专利 :CN113678266B ,2024-10-15
[4]
半导体受光元件 [P]. 
山口晴央 .
中国专利 :CN106409966B ,2017-02-15
[5]
半导体受光元件 [P]. 
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101521245A ,2009-09-02
[6]
半导体受光元件 [P]. 
田口桂基 ;
牧野健二 ;
大重美明 ;
石原兆 .
日本专利 :CN119318221A ,2025-01-14
[7]
半导体受光元件 [P]. 
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101626043B ,2010-01-13
[8]
半导体受光元件 [P]. 
田口桂基 ;
石原兆 ;
大重美明 ;
牧野健二 .
日本专利 :CN119318222A ,2025-01-14
[9]
半导体受光元件 [P]. 
笹畑圭史 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN102280516A ,2011-12-14
[10]
半导体受光元件 [P]. 
石村荣太郎 ;
中路雅晴 .
中国专利 :CN101521244A ,2009-09-02