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具有改善的耐碱性的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111310799.0
申请日
:
2021-11-05
公开(公告)号
:
CN113817196A
公开(公告)日
:
2021-12-21
发明(设计)人
:
周志峰
钱洪炎
周志文
赵欢欢
罗湘
杨侨华
申请人
:
申请人地址
:
337000 江西省萍乡市莲花县工业园B区
IPC主分类号
:
C08J518
IPC分类号
:
C08L7908
C08K322
C08K308
C08K304
C08K501
C08K1302
代理机构
:
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142
代理人
:
张静
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C08J 5/18 申请日:20211105
2021-12-21
公开
公开
共 50 条
[1]
具有改善的耐碱性的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
[P].
金纪勋
论文数:
0
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0
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金纪勋
;
李吉男
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0
李吉男
;
崔祯烈
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0
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0
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崔祯烈
.
中国专利
:CN112585195A
,2021-03-30
[2]
具有改善的耐碱性的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
[P].
李昇炫
论文数:
0
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0
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0
李昇炫
;
安宰撤
论文数:
0
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0
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0
安宰撤
.
中国专利
:CN111556883B
,2020-08-18
[3]
高导热聚酰亚胺薄膜的制备方法及其聚酰亚胺薄膜
[P].
钱洪炎
论文数:
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钱洪炎
;
周志峰
论文数:
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周志峰
;
杨侨华
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0
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杨侨华
;
赵欢欢
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赵欢欢
;
罗湘
论文数:
0
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罗湘
;
周志文
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周志文
.
中国专利
:CN113999414A
,2022-02-01
[4]
聚酰亚胺薄膜的制备方法及聚酰亚胺薄膜
[P].
曹义
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机构:
中天电子材料有限公司
中天电子材料有限公司
曹义
;
朱凡
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机构:
中天电子材料有限公司
中天电子材料有限公司
朱凡
;
高炜琳
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机构:
中天电子材料有限公司
中天电子材料有限公司
高炜琳
;
陈昊
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机构:
中天电子材料有限公司
中天电子材料有限公司
陈昊
.
中国专利
:CN120005188A
,2025-05-16
[5]
聚酰亚胺薄膜的制备方法及聚酰亚胺薄膜
[P].
曹义
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机构:
中天电子材料有限公司
中天电子材料有限公司
曹义
;
朱凡
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机构:
中天电子材料有限公司
中天电子材料有限公司
朱凡
;
高炜琳
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机构:
中天电子材料有限公司
中天电子材料有限公司
高炜琳
;
陈昊
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机构:
中天电子材料有限公司
中天电子材料有限公司
陈昊
.
中国专利
:CN120005188B
,2025-08-12
[6]
聚酰亚胺薄膜及聚酰亚胺薄膜的制备方法
[P].
金纪勋
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金纪勋
;
李吉男
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0
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李吉男
.
中国专利
:CN113811561A
,2021-12-17
[7]
聚酰亚胺薄膜以及制备聚酰亚胺薄膜的方法
[P].
武德珍
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武德珍
;
蔺道雷
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蔺道雷
;
齐胜利
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齐胜利
;
田国峰
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0
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田国峰
.
中国专利
:CN115505123A
,2022-12-23
[8]
具有改善的尺寸稳定性的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
[P].
李吉男
论文数:
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0
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0
李吉男
;
金纪勋
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0
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0
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金纪勋
.
中国专利
:CN114651036A
,2022-06-21
[9]
聚酰亚胺薄膜的制备方法
[P].
阎逢元
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阎逢元
;
杨祖华
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杨祖华
;
任嗣利
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0
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任嗣利
.
中国专利
:CN1421490A
,2003-06-04
[10]
聚酰亚胺薄膜及其制备方法
[P].
刘卓铭
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刘卓铭
;
杨福年
论文数:
0
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0
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杨福年
.
中国专利
:CN112778563A
,2021-05-11
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