羟肟酸型蒙脱土离子印迹材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710839903.2

申请日：

2017-09-18

公开(公告)号：

CN107629178B

公开(公告)日：

2018-01-26

发明(设计)人：

汤琳朱超胡天觉曾光明邓垚成王佳佳刘雅妮方思源

申请人：

申请人地址：

410082 湖南省长沙市河西岳麓山湖南大学环境科学与工程学院

IPC主分类号：

C08F29200

IPC分类号：

C08F22020 C08F830 C08J926 B01J2026 B01J2030 C02F128 C02F10120

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

何文红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08F 292/00 申请日:20170918
2018-01-26	公开	公开
2019-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种介孔硅藻As(V)离子表面印迹材料的制备方法和应用 [P].

李聪 ;

钟溢健 ;

王蓝青 ;

梁效铭 ;

解庆林 ;

陈南春 .

中国专利 :CN108837813A ,2018-11-20

[2]

蒙脱土复合吸附材料及其制备方法和应用 [P].

孙垦 .

中国专利 :CN108126672B ,2018-06-08

[3]

一种基于壳聚糖修饰硅藻As(V)离子印迹材料及其制备方法和应用 [P].

马丽丽 ;

余清凤 ;

陈南春 ;

解庆林 ;

梁效铭 ;

李聪 ;

钟溢健 .

中国专利 :CN109364893A ,2019-02-22

[4]

一种离子印迹羟肟酸螯合树脂的制备方法 [P].

王帅 ;

钟宏 ;

刘广义 ;

曹占芳 ;

夏柳荫 .

中国专利 :CN103012677B ,2013-04-03

[5]

一种铜离子快速显色检测离子印迹材料及其制备方法和应用 [P].

马晓国 ;

彭雨琦 ;

王颖 .

中国专利 :CN112730394B ,2021-04-30

[6]

一种蒙脱石铝离子印迹材料的制备方法及其应用 [P].

匡敬忠 ;

丁丹 ;

原伟泉 .

中国专利 :CN118681530A ,2024-09-24

[7]

插层型蒙脱土/马来酸-丙烯酸离聚物复合材料及其制备方法和应用 [P].

唐萍 ;

张薇 ;

张红东 .

中国专利 :CN112063090B ,2020-12-11

[8]

蒙脱石改性材料及其制备方法和应用 [P].

王金荣 ;

李林儒 ;

乔汉桢 ;

段二珍 ;

张亚坤 ;

宋彩晴 .

中国专利 :CN113040278A ,2021-06-29

[9]

聚噻吩/有机蒙脱土复合材料及其制备方法和应用 [P].

龙剑平 ;

黄春 ;

曾英 ;

杨梅 ;

张文涛 .

中国专利 :CN103408734A ,2013-11-27

[10]

一种铈离子印迹磁性纳米材料及其制备方法与应用 [P].

练鸿振 ;

花玉 ;

张森 ;

李嘉元 ;

盛东 ;

陈逸珺 .

中国专利 :CN113000035B ,2021-06-22

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