半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010434497.3

申请日：

2020-05-21

公开(公告)号：

CN112310080A

公开(公告)日：

2021-02-02

发明(设计)人：

宋昊柱金硕炫金永埈朴晋亨李蕙兰金奉秀金成禹

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

弋桂芬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-02	公开	公开
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200521

共 50 条

[1]

半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法 [P].

宋昊柱 ;

金硕炫 ;

金永埈 ;

朴晋亨 ;

李蕙兰 ;

金奉秀 ;

金成禹 .

韩国专利 :CN112310080B ,2025-12-30

[2]

半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

丁相勋 ;

洪祥准 ;

沈善一 ;

金坰显 ;

文彰燮 .

中国专利 :CN112542467A ,2021-03-23

[3]

半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

郭采硕 ;

宋在俊 ;

徐宁焄 ;

金炫兑 ;

朴荣奭 .

韩国专利 :CN120614813A ,2025-09-09

[4]

半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

拓也二山 ;

边大锡 .

韩国专利 :CN118632536A ,2024-09-10

[5]

半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

梁宇成 .

中国专利 :CN108666319B ,2018-10-16

[6]

半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

申永奉 ;

李知勋 ;

姜美惠 ;

罗峻熙 ;

南泌旭 ;

芮态基 .

韩国专利 :CN118382292A ,2024-07-23

[7]

半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件 [P].

宓筠婕 ;

林宏益 .

中国专利 :CN112786526A ,2021-05-11

[8]

半导体存储器件与半导体存储器件的制造方法 [P].

赵文礼 .

中国专利 :CN115101525A ,2022-09-23

[9]

半导体存储器件及操作半导体存储器件的方法 [P].

金成来 ;

李起准 ;

李明奎 ;

金浩渊 ;

林秀熏 ;

赵诚慧 .

中国专利 :CN114443345A ,2022-05-06

[10]

半导体存储器件的擦除方法及半导体存储器件 [P].

王明 ;

刘红涛 ;

闵园园 .

中国专利 :CN110265082A ,2019-09-20

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