一种表面光电压信号增强型BiOCl的处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111497952.5

申请日：

2021-12-09

公开(公告)号：

CN114225951A

公开(公告)日：

2022-03-25

发明(设计)人：

钟俊波李建章黄生田陈久福

申请人：

申请人地址：

643000 四川省自贡市自流井区汇东学苑街180号

IPC主分类号：

B01J2710

IPC分类号：

B01J3500 B01J3700 B01J3706 B01J3710

代理机构：

成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214

代理人：

吕玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-25	公开	公开
2022-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 27/10 申请日:20211209

共 50 条

[1]

一种BiOCl表面光电压信号显著增强的制备方法 [P].

钟俊波 ;

宋新建 ;

李建章 ;

陈久福 .

中国专利 :CN107262120A ,2017-10-20

[2]

一种提高BiOCl表面光电压信号的方法 [P].

钟俊波 ;

杨财 ;

陈久福 ;

黄生田 .

中国专利 :CN113457698A ,2021-10-01

[3]

一种表面光电压信号增强型ZnO的制备方法 [P].

钟俊波 ;

王涛 ;

黄娇 .

中国专利 :CN108622926B ,2018-10-09

[4]

表面光电压信号增强型(BiO)2CO3的制备方法 [P].

钟俊波 ;

李建章 ;

黄娇 .

中国专利 :CN108816260A ,2018-11-16

[5]

一种g-C3N4表面光电压信号增强的制备方法 [P].

钟俊波 ;

李建章 ;

陈久福 .

中国专利 :CN107188178B ,2017-09-22

[6]

一种增强TiO<sub>2</sub>表面光电压的方法 [P].

黄生田 ;

钟俊波 ;

陈久福 ;

李建章 ;

李敏娇 .

中国专利 :CN117142516B ,2025-09-26

[7]

一种提高ZnO表面光电压的方法 [P].

钟俊波 ;

黄生田 ;

陈久福 .

中国专利 :CN113828298A ,2021-12-24

[8]

一种提高ZnO表面光电压的制备方法 [P].

钟俊波 ;

陈久福 ;

黄生田 ;

窦琳 ;

马冬梅 .

中国专利 :CN117398988A ,2024-01-16

[9]

一种提高TiO2表面光电压的方法 [P].

陈久福 ;

钟俊波 ;

黄生田 ;

李建章 ;

李敏娇 .

中国专利 :CN113828293A ,2021-12-24

[10]

一种测量光电材料表面光电压的方法及装置 [P].

李灿 ;

倪晨玮 ;

陈若天 ;

范峰滔 .

中国专利 :CN118226088A ,2024-06-21

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