一种亚微米晶压电陶瓷材料的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610011785.8
申请日
2006-04-25
公开(公告)号
CN1837143A
公开(公告)日
2006-09-27
发明(设计)人
王晓慧 赵巍 李龙土 桂治轮
申请人
申请人地址
100084北京市100084-82信箱
IPC主分类号
C04B35462
IPC分类号
C04B35472 C04B35475 C04B35622 H01L41187
代理机构
代理人
法律状态
公开
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共 50 条
[1]
一步无压烧结合成亚微米晶尺度压电陶瓷材料的制备方法 [P]. 
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[2]
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[4]
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[5]
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
纳米压电陶瓷材料的制备方法 [P]. 
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