一种真空半导体三极管

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201520819267.3
申请日
2015-10-22
公开(公告)号
CN205016491U
公开(公告)日
2016-02-03
发明(设计)人
许霞林
申请人
申请人地址
518116 广东省深圳市龙岗区龙岗街道龙东社区沙背坜自然村盈科利工业园F2-B
IPC主分类号
H01J2110
IPC分类号
H01J1938 H01J1970
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
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一种真空半导体三极管 [P]. 
耿东 .
中国专利 :CN210535655U ,2020-05-15
[2]
一种真空半导体三极管 [P]. 
梁培 .
中国专利 :CN217306491U ,2022-08-26
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半导体三极管 [P]. 
薛列龙 .
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半导体三极管 [P]. 
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一种半导体三极管 [P]. 
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一种半导体三极管 [P]. 
李稳 ;
高宗利 .
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一种半导体三极管 [P]. 
寿建儿 .
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一种半导体三极管 [P]. 
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一种防水型半导体三极管 [P]. 
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