CMOS反相器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910643899.1

申请日：

2019-07-17

公开(公告)号：

CN110379808A

公开(公告)日：

2019-10-25

发明(设计)人：

翁文寅

申请人：

申请人地址：

201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2910 H01L29423 B82Y1000 B82Y3000

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 27/092 申请公布日:20191025
2019-10-25	公开	公开
2019-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20190717

共 50 条

[1]

CMOS反相器 [P].

林爱梅 ;

吕瑞霖 ;

王鹢奇 .

中国专利 :CN104733458B ,2015-06-24

[2]

CMOS器件和CMOS反相器 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101312194A ,2008-11-26

[3]

低压CMOS器件及CMOS反相器 [P].

王春来 ;

操小莉 .

中国专利 :CN204516766U ,2015-07-29

[4]

CMOS反相器及应用该CMOS反相器的电子装置 [P].

江志雄 .

中国专利 :CN106330174A ,2017-01-11

[5]

一种金刚石CMOS反相器的制备方法及反相器 [P].

李俊鹏 ;

陈军飞 ;

王晗雪 ;

陈兴 ;

任泽阳 .

中国专利 :CN119767777A ,2025-04-04

[6]

CMOS反相器及阵列基板 [P].

周星宇 ;

徐源竣 ;

任章淳 ;

吴元均 ;

吕伯彦 ;

杨伯儒 ;

陈昌东 ;

刘川 .

中国专利 :CN107799521A ,2018-03-13

[7]

张广琦 ;

魏洋 ;

范守善 .

中国专利 :CN117637756A ,2024-03-01

[8]

大藤将人 ;

安部胜美 ;

林享 ;

佐野政史 ;

云见日出也 .

中国专利 :CN102593188A ,2012-07-18

[9]

H·埃尔迪拉尼 ;

P·福特内奥 .

中国专利 :CN209571415U ,2019-11-01

[10]

反相器制造方法和反相器 [P].

大藤将人 ;

安部胜美 ;

林享 ;

佐野政史 ;

云见日出也 .

中国专利 :CN101681927B ,2010-03-24

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