一种硅基纳米孔的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010140180.5

申请日：

2010-04-06

公开(公告)号：

CN101798059B

公开(公告)日：

2010-08-11

发明(设计)人：

司卫华刘泽文

申请人：

申请人地址：

100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

贾玉健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-16	授权	授权
2010-08-11	公开	公开
2010-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006243204 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2010101401805 申请日:20100406

共 50 条

[1]

一种高密度的硅基纳米孔的制作方法 [P].

司卫华 ;

刘泽文 ;

尹明 .

中国专利 :CN102079504A ,2011-06-01

[2]

一种硅通孔的制作方法 [P].

余毅 ;

李彦庆 ;

何锋赟 .

中国专利 :CN117637608A ,2024-03-01

[3]

一种硅通孔的制作方法 [P].

余毅 ;

李彦庆 ;

何锋赟 .

中国专利 :CN117637608B ,2024-05-14

[4]

一种硅纳米线的制作方法 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106783618A ,2017-05-31

[5]

硅通孔制作方法 [P].

陈晓军 ;

陈宇涵 ;

刘煊杰 ;

傅焕松 .

中国专利 :CN102054752A ,2011-05-11

[6]

一种硅纳米孔结构及其制作方法 [P].

袁志山 ;

王成勇 .

中国专利 :CN107416762A ,2017-12-01

[7]

一种硅基MEMS微纳通孔结构的制作方法 [P].

焦海龙 ;

赵广宏 ;

李文博 ;

金小锋 ;

张世名 ;

邹江波 .

中国专利 :CN106335871A ,2017-01-18

[8]

一种硅通孔的制作方法 [P].

金国栋 ;

杨志刚 .

中国专利 :CN120261400A ,2025-07-04

[9]

一种硅通孔的制作方法 [P].

程晓华 ;

肖胜安 ;

彭虎 .

中国专利 :CN102956543A ,2013-03-06

[10]

一种硅纳米线的制作方法 [P].

王跃林 ;

李欣昕 ;

刘文平 .

中国专利 :CN1215530C ,2004-02-11

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