碳化硅增强的碳化硅复合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97180214.9

申请日：

1997-12-01

公开(公告)号：

CN1239468A

公开(公告)日：

1999-12-22

发明(设计)人：

S·－K·劳 S·J·卡兰德拉 R·W·奥内佐格

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C04B3580

IPC分类号：

C04B3565

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

白益华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-12-22	公开	公开
1999-12-29	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-07-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

碳化硅组合物、碳化硅陶瓷及其制备方法 [P].

贺鹏博 ;

李亚林 .

中国专利 :CN119874396A ,2025-04-25

[2]

碳化硅复合物材料及其制备方法 [P].

W·M·瓦戈纳 ;

B·R·罗辛 ;

M·A·里士满 ;

迈克尔·凯弗克·阿格海杰宁 ;

A·L·麦考密克 .

中国专利 :CN1216830C ,2002-07-31

[3]

碳化硅纤维增强碳化硅复合材料制备方法 [P].

周新贵 ;

张长瑞 ;

王军 ;

张洪刚 ;

李效东 ;

刘荣军 ;

曹英斌 ;

于海蛟 .

中国专利 :CN1803715A ,2006-07-19

[4]

碳化硅纤维增强碳化硅复合材料的制备方法 [P].

周新贵 ;

王军 ;

宋永才 ;

张长瑞 ;

余金山 ;

王飞 ;

于海蛟 ;

王洪磊 ;

赵爽 ;

罗征 ;

黄泽兰 .

中国专利 :CN102276279A ,2011-12-14

[5]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[6]

碳化硅衬底、碳化硅锭以及制造碳化硅衬底和碳化硅锭的方法 [P].

佐佐木信 ;

西口太郎 .

中国专利 :CN103476975A ,2013-12-25

[7]

(请求不公开姓名) .

中国专利 :CN101555010A ,2009-10-14

[8]

碳化硅晶锭、碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制造方法 [P].

堂本千秋 ;

正木克明 ;

柴田和也 ;

山口恵彥 ;

上山大辅 .

中国专利 :CN105940149A ,2016-09-14

[9]

碳化硅的制造方法及碳化硅 [P].

星亮二 ;

松本克 ;

青木良隆 ;

松井智波 .

中国专利 :CN105008278A ,2015-10-28

[10]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

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