半导体光放大器及其制造方法、光相位调制器

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专利类型
发明
申请号
CN201780082399.4
申请日
2017-10-02
公开(公告)号
CN110168824B
公开(公告)日
2019-08-23
发明(设计)人
西川智志
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01S550
IPC分类号
G02F1017
代理机构
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人
程晨
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体光相位调制器及其检查方法 [P]. 
高林正和 ;
铃木洋介 ;
西川智志 ;
秋山浩一 .
日本专利 :CN117355790A ,2024-01-05
[2]
半导体光放大器 [P]. 
仓本大 ;
池田昌夫 ;
幸田伦太郎 ;
大木智之 ;
渡边秀辉 ;
宫嶋孝夫 ;
横山弘之 .
中国专利 :CN102315590A ,2012-01-11
[3]
半导体光放大器 [P]. 
J·R·蒂德马什 ;
R·F·达拉拉 ;
J·A·埃克纳 .
中国专利 :CN1334982A ,2002-02-06
[4]
半导体光放大器 [P]. 
长泽郁弥 ;
关口大志 ;
高村诚 .
中国专利 :CN114640023A ,2022-06-17
[5]
半导体光放大器模块 [P]. 
尹仁国 ;
李定锡 .
中国专利 :CN1573496A ,2005-02-02
[6]
光处理装置、光放大器和光调制器 [P]. 
阮于华 ;
陈亦凡 .
中国专利 :CN114244438A ,2022-03-25
[7]
一种半导体光放大器及其制造方法 [P]. 
朱尧 ;
周志强 ;
黄晓鸣 ;
刘永康 .
中国专利 :CN117117635B ,2024-07-26
[8]
半导体光放大器及其制作方法 [P]. 
佟存住 ;
王延靖 ;
舒世立 ;
汪丽杰 ;
张新 ;
田思聪 ;
王立军 .
中国专利 :CN107681465A ,2018-02-09
[9]
同一源区半导体光放大器、电吸收调制器集成器件 [P]. 
邱伟彬 ;
王圩 .
中国专利 :CN1467889A ,2004-01-14
[10]
半导体光放大器阵列元件 [P]. 
清田和明 ;
吉田匡广 .
中国专利 :CN114342193A ,2022-04-12