钨、钼及其氧化物纳米线薄膜与纳米线阵列以及其制备与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03140333.6

申请日：

2003-08-29

公开(公告)号：

CN1283835C

公开(公告)日：

2004-04-28

发明(设计)人：

许宁生周军邓少芝陈军佘峻聪

申请人：

申请人地址：

510275广东省广州市新港西路135号

IPC主分类号：

C23C2600

IPC分类号：

代理机构：

广州新诺专利商标事务所有限公司

代理人：

华辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-08	授权	授权
2004-04-28	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物纳米线阵列的制备方法及其制备的纳米线阵列 [P].

段学欣 ;

刘宇轩 ;

方烨 .

中国专利 :CN111924799A ,2020-11-13

[2]

铟类纳米线、氧化物纳米线与导电性氧化物纳米线以及它们的制造方法 [P].

行延雅也 .

中国专利 :CN102554261B ,2012-07-11

[3]

铟类纳米线、氧化物纳米线与导电性氧化物纳米线以及它们的制造方法 [P].

行延雅也 .

中国专利 :CN101304829B ,2008-11-12

[4]

金属氧化物有序交叉纳米线阵列及其制备方法 [P].

邓勇辉 ;

任元 ;

邹义冬 .

中国专利 :CN110127620B ,2019-08-16

[5]

碲化铅纳米线薄膜及其制备方法与应用 [P].

张之胜 ;

郭中敏 ;

冯双龙 ;

张为国 ;

申钧 ;

史浩飞 .

中国专利 :CN115058766A ,2022-09-16

[6]

一种燃烧法制备的金属氧化物纳米线薄膜及其制备方法与应用 [P].

张新安 ;

徐浩璇 .

中国专利 :CN118073180A ,2024-05-24

[7]

铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用 [P].

朱长飞 ;

张中伟 ;

刘伟丰 .

中国专利 :CN101700871A ,2010-05-05

[8]

一种二氧化钛纳米线阵列薄膜及其制备与应用 [P].

李贵生 ;

王文超 ;

廉孜超 ;

李鑫 ;

崔莹莹 ;

李和兴 .

中国专利 :CN104475073B ,2015-04-01

[9]

凹版印刷银纳米线-金属氧化物复合薄膜及其制法与应用 [P].

王振国 ;

郭经波 ;

骆群 ;

林剑 ;

马昌期 .

中国专利 :CN118082396A ,2024-05-28

[10]

金属钛表面的钛氧化物纳米线薄膜及其制备方法 [P].

蔡伟民 ;

龙明策 ;

吴亚惠 .

中国专利 :CN100564601C ,2009-01-14

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