等离子体源线圈和使用该等离子体源线圈的等离子体室

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580010638.2

申请日：

2005-03-29

公开(公告)号：

CN1938824A

公开(公告)日：

2007-03-28

发明(设计)人：

金南宪李堵汉吴荣根

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨生平;杨红梅

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-31	授权	授权
2007-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

具有等离子体源线圈的等离子体室及使用该等离子体室蚀刻晶片的方法 [P].

金南宪 .

中国专利 :CN1934683A ,2007-03-21

[2]

等离子体源 [P].

酒井滋树 ;

高桥正人 .

中国专利 :CN1269692A ,2000-10-11

[3]

用于等离子体室中的均匀等离子体分布的等离子体源 [P].

金南宪 .

中国专利 :CN101040366A ,2007-09-19

[4]

等离子体源和等离子体处理装置 [P].

池田太郎 ;

长田勇辉 ;

宫下大幸 ;

小野田裕之 ;

川上聪 .

中国专利 :CN115696713A ,2023-02-03

[5]

等离子体源 [P].

藤田秀树 ;

糸井骏 .

中国专利 :CN109119314A ,2019-01-01

[6]

等离子体源 [P].

S·克拉斯尼特泽 ;

J·哈格曼恩 .

中国专利 :CN105144338A ,2015-12-09

[7]

等离子体源 [P].

井内裕 ;

谷井正博 .

中国专利 :CN103779155B ,2014-05-07

[8]

等离子体源 [P].

井内裕 .

中国专利 :CN304546178S ,2018-03-20

[9]

等离子体源 [P].

加里·普劳德富特 ;

克里斯托弗·戴维·乔治 ;

保罗·埃杜拉多·利马 .

中国专利 :CN101490794A ,2009-07-22

[10]

等离子体源 [P].

维克托·贝利多-刚扎雷兹 .

中国专利 :CN104718598A ,2015-06-17

← 1 2 3 4 5 →