一种局域接触钝化的P型晶硅太阳电池及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811418678.6

申请日：

2018-11-26

公开(公告)号：

CN109524480A

公开(公告)日：

2019-03-26

发明(设计)人：

崔艳峰袁声召万义茂黄强林海峰

申请人：

申请人地址：

213200 江苏省常州市金坛区直溪镇工业集中区水南路1号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L31068 H01L3118

代理机构：

南京中高专利代理有限公司 32333

代理人：

吕波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-23	授权	授权
2019-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0216 申请日:20181126
2019-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种全正面钝化接触高效P型晶硅太阳电池的制备方法 [P].

万义茂 ;

林海峰 .

中国专利 :CN110061083A ,2019-07-26

[2]

一种正背面全面积接触钝化的P型晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

万义茂 ;

袁声召 ;

崔艳峰 ;

黄强 ;

林海峰 .

中国专利 :CN110707159A ,2020-01-17

[3]

正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

张树德 ;

魏青竹 ;

钱洪强 ;

李跃 ;

连维飞 ;

倪志春 ;

刘玉申 ;

杨希峰 .

中国专利 :CN110828583A ,2020-02-21

[4]

一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法 [P].

万义茂 ;

崔艳峰 ;

袁声召 ;

黄强 ;

林海峰 .

中国专利 :CN109994570B ,2019-07-09

[5]

一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

张树德 ;

魏青竹 ;

钱洪强 ;

况亚伟 ;

李跃 ;

连维飞 ;

倪志春 ;

刘玉申 ;

杨希峰 .

中国专利 :CN110610998A ,2019-12-24

[6]

氧化碲钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

黄仕华 ;

谢一博 ;

李林华 .

中国专利 :CN118867046A ,2024-10-29

[7]

一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池 [P].

张树德 ;

魏青竹 ;

钱洪强 ;

况亚伟 ;

李跃 ;

连维飞 ;

倪志春 ;

刘玉申 ;

杨希峰 .

中国专利 :CN210668389U ,2020-06-02

[8]

一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法 [P].

袁声召 ;

崔艳峰 ;

庄宇峰 ;

万义茂 ;

黄强 ;

林海峰 .

中国专利 :CN110581198A ,2019-12-17

[9]

局域接触钝化太阳电池的制备方法 [P].

袁声召 ;

崔艳峰 ;

庄宇峰 ;

万义茂 ;

黄强 ;

林海峰 .

中国专利 :CN110767772B ,2020-02-07

[10]

一种双面钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法 [P].

何坚 ;

钟卓彤 ;

高平奇 .

中国专利 :CN119997670A ,2025-05-13

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