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一种低温共烧NiCuZn铁氧体材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200410016874.2
申请日
:
2004-03-11
公开(公告)号
:
CN1631839A
公开(公告)日
:
2005-06-29
发明(设计)人
:
何时金
胡军
申请人
:
申请人地址
:
322118浙江省东阳市横店工业区
IPC主分类号
:
C04B3526
IPC分类号
:
C04B3530
C04B35626
C04B35624
代理机构
:
浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人
:
徐关寿
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2007-07-18
授权
授权
2005-08-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-06-29
公开
公开
共 50 条
[1]
一种高磁导率低温共烧NiCuZn铁氧体的制备方法
[P].
胡军
论文数:
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胡军
;
严正信
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严正信
.
中国专利
:CN101206941A
,2008-06-25
[2]
抗偏置低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法
[P].
唐晓莉
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唐晓莉
;
宦丽
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宦丽
;
苏桦
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苏桦
;
张怀武
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张怀武
;
李元勋
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李元勋
;
荆玉兰
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荆玉兰
.
中国专利
:CN104193317B
,2014-12-10
[3]
一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法
[P].
苏桦
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苏桦
;
唐晓莉
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唐晓莉
;
张怀武
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张怀武
;
荆玉兰
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荆玉兰
;
李元勋
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李元勋
;
徐自强
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徐自强
.
中国专利
:CN107857581A
,2018-03-30
[4]
非磁性材料与NiCuZn铁氧体材料低温匹配共烧方法
[P].
朱元芳
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朱元芳
;
朱玉芳
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朱玉芳
;
朱柏芳
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朱柏芳
.
中国专利
:CN103951403A
,2014-07-30
[5]
一种高磁导率低温烧结NiCuZn铁氧体材料
[P].
陆明岳
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陆明岳
.
中国专利
:CN101388268A
,2009-03-18
[6]
一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法
[P].
梁迪飞
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梁迪飞
;
李东月
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李东月
;
王昕
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王昕
;
赵青
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赵青
;
谢建良
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谢建良
;
邓龙江
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邓龙江
.
中国专利
:CN104030674B
,2014-09-10
[7]
一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法
[P].
梁迪飞
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梁迪飞
;
王亮
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王亮
;
杨宏伟
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杨宏伟
;
关梦然
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关梦然
;
陈良
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陈良
;
谢建良
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谢建良
;
邓龙江
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邓龙江
.
中国专利
:CN103803963A
,2014-05-21
[8]
一种耐大电流低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法
[P].
谢柠帆
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谢柠帆
;
苏桦
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苏桦
;
李元勋
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李元勋
.
中国专利
:CN108503349B
,2018-09-07
[9]
NiCuZn铁氧体材料及其制备方法、应用
[P].
燕周民
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燕周民
;
王五松
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王五松
;
褚涛
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褚涛
;
张元松
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张元松
;
彭丹
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彭丹
.
中国专利
:CN107619271A
,2018-01-23
[10]
一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法和应用
[P].
陈诚海
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机构:
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
陈诚海
;
徐鑫
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机构:
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
徐鑫
;
吴冬华
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机构:
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
吴冬华
;
马占华
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机构:
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
马占华
;
姜法辉
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机构:
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
姜法辉
;
王军
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机构:
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
王军
;
张瑞标
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机构:
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
浙江天通电子信息材料研究院有限公司
张瑞标
.
中国专利
:CN119724808A
,2025-03-28
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