一种逆导型IGBT器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210559699.6

申请日：

2012-12-20

公开(公告)号：

CN103887240B

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

张朝阳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区盛夏路560号219室

IPC主分类号：

H01L218222

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-25	公开	公开
2021-05-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8222 登记生效日:20210427 变更事项:专利权人变更前权利人:上海若坝思特半导体有限公司变更后权利人:中微半导体（深圳）股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢8层810室变更后权利人:518052 广东省深圳市南山区南头街道大汪山社区桃园路8号田厦国际中心A座2008
2021-02-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/8222 登记生效日:20210127 变更事项:专利权人变更前权利人:上海宝芯源功率半导体有限公司变更后权利人:上海若坝思特半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区盛夏路560号219室变更后权利人:201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路169号、张东路1658号1幢8层810室
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584603554 IPC(主分类):H01L 21/8222 专利申请号:2012105596996 申请日:20121220
2016-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种逆导型IGBT器件及其制备方法 [P].

万力 ;

秦海峰 ;

马先东 .

中国专利 :CN118825063A ,2024-10-22

[2]

一种逆导型IGBT器件 [P].

张文亮 ;

朱阳军 ;

田晓丽 ;

卢烁今 ;

胡爱斌 .

中国专利 :CN103855199A ,2014-06-11

[3]

逆导型IGBT及其制备方法 [P].

刘勇强 ;

史波 ;

曾丹 ;

赵浩宇 ;

温珂 ;

葛孝昊 ;

赵家宽 .

中国专利 :CN113394278A ,2021-09-14

[4]

一种逆导型IGBT器件及其制作方法 [P].

罗海辉 ;

肖海波 ;

刘国友 ;

黄建伟 .

中国专利 :CN105244274A ,2016-01-13

[5]

一种逆导型IGBT器件及其制备方法 [P].

李巍 ;

李令想 ;

贾鹏飞 ;

韩天宇 .

中国专利 :CN119815847A ,2025-04-11

[6]

一种逆导型IGBT器件及其制备方法 [P].

李昱兵 ;

张镜华 ;

郝知行 ;

杨蜀湘 ;

王宇 .

中国专利 :CN117374109A ,2024-01-09

[7]

一种逆导型IGBT器件及其制备方法 [P].

张枫 ;

马献 ;

刘杰 .

中国专利 :CN118969831A ,2024-11-15

[8]

一种逆导型IGBT器件 [P].

许海东 ;

於正新 .

中国专利 :CN115312595A ,2022-11-08

[9]

一种逆导型IGBT器件 [P].

任敏 ;

李吕强 ;

蓝瑶瑶 ;

郭乔 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN111697070A ,2020-09-22

[10]

一种逆导型RC-IGBT器件 [P].

孔亮 ;

宋昊 ;

张鹏 ;

石伟 .

中国专利 :CN119497406A ,2025-02-21

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