一种功率半导体模块衬底

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201721712803.5
申请日
2017-12-11
公开(公告)号
CN207868199U
公开(公告)日
2018-09-14
发明(设计)人
杨贺雅 罗浩泽 梅烨
申请人
申请人地址
201207 上海市浦东新区自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
IPC主分类号
H01L2702
IPC分类号
H01L23538
代理机构
杭州求是专利事务所有限公司 33200
代理人
林超
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
功率半导体模块衬底 [P]. 
杨贺雅 ;
罗浩泽 ;
梅烨 .
中国专利 :CN107958905A ,2018-04-24
[2]
功率半导体模块衬底 [P]. 
杨贺雅 ;
罗浩泽 ;
梅烨 .
中国专利 :CN107958905B ,2024-06-21
[3]
一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P]. 
安冰翀 .
中国专利 :CN208655625U ,2019-03-26
[4]
一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P]. 
安冰翀 .
中国专利 :CN208637413U ,2019-03-22
[5]
一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P]. 
安冰翀 .
中国专利 :CN208655626U ,2019-03-26
[6]
一种门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块 [P]. 
杨贺雅 ;
罗浩泽 ;
梅烨 .
中国专利 :CN207868198U ,2018-09-14
[7]
一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P]. 
安冰翀 .
中国专利 :CN108807336A ,2018-11-13
[8]
一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P]. 
安冰翀 .
中国专利 :CN108447847A ,2018-08-24
[9]
一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P]. 
安冰翀 .
中国专利 :CN108447846A ,2018-08-24
[10]
一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块 [P]. 
夏雨昕 ;
王明阳 ;
戴义贤 .
中国专利 :CN118919530A ,2024-11-08