发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片

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专利类型
发明
申请号
CN201710398310.7
申请日
2017-05-31
公开(公告)号
CN107464860A
公开(公告)日
2017-12-12
发明(设计)人
冈村卓
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3344
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
李辉;乔婉
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
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发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 ;
北村宏 .
中国专利 :CN107611086A ,2018-01-19
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发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN108538994A ,2018-09-14
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发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN107706292A ,2018-02-16
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发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 ;
北村宏 .
中国专利 :CN107611237A ,2018-01-19
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发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 ;
北村宏 .
中国专利 :CN108538993A ,2018-09-14
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发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN108400204A ,2018-08-14
[7]
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN107527986B ,2017-12-29
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发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN107527985B ,2017-12-29
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发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 .
中国专利 :CN108538995A ,2018-09-14
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发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 [P]. 
冈村卓 ;
北村宏 .
中国专利 :CN108538719A ,2018-09-14