基于单光子雪崩二极管探测器的快速荧光寿命成像方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711090809.8

申请日：

2017-11-08

公开(公告)号：

CN108007584B

公开(公告)日：

2018-05-08

发明(设计)人：

李鼎徐跃吴仲

申请人：

申请人地址：

210023 江苏省南京市栖霞区亚东新城区文苑路9号

IPC主分类号：

G01J1100

IPC分类号：

代理机构：

南京知识律师事务所 32207

代理人：

李吉宽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01J 11/00 申请日:20171108
2019-10-11	授权	授权
2020-11-06	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):G01J 11/00 合同备案号:X2020980006914 让与人:南京邮电大学受让人:南京邮电大学南通研究院有限公司发明名称:基于单光子雪崩二极管探测器的快速荧光寿命成像方法申请日:20171108 申请公布日:20180508 授权公告日:20191011 许可种类:普通许可备案日期:20201021
2018-05-08	公开	公开

共 50 条

[1]

单光子雪崩二极管探测器及其制造方法 [P].

苏蕊 ;

渠汇 .

中国专利 :CN118486752A ,2024-08-13

[2]

单光子雪崩二极管和光电探测器阵列 [P].

兰潇健 ;

马静 ;

刘超晖 ;

马四光 .

中国专利 :CN114093962A ,2022-02-25

[3]

单光子雪崩二极管和光电探测器阵列 [P].

马静 ;

兰潇健 ;

刘超晖 ;

马四光 .

中国专利 :CN114203852A ,2022-03-18

[4]

单光子雪崩二极管和光电探测器阵列 [P].

兰潇健 ;

马静 ;

刘超晖 ;

马四光 .

中国专利 :CN114093962B ,2024-04-09

[5]

一种单光子雪崩二极管和单光子探测器 [P].

刘新川 ;

冯泰翔 ;

朱志航 ;

成健 ;

吴兵兵 ;

陈鉴 .

中国专利 :CN120529665A ,2025-08-22

[6]

基于单光子雪崩二极管的单像素荧光多维显微成像方法 [P].

尹君 ;

韦耀鹏 ;

于凌尧 ;

闫克松 ;

刘帅 ;

耿森 ;

梁锐婧 ;

苗琰 ;

苑立波 .

中国专利 :CN117723515A ,2024-03-19

[7]

近红外单光子雪崩二极管探测器及制作方法 [P].

魏子琛 ;

赵昊 ;

胡晓峰 ;

严进 .

中国专利 :CN113314638B ,2021-08-27

[8]

单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P].

格奥尔格·勒雷尔 .

:CN111033759B ,2025-06-27

[9]

单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列 [P].

格奥尔格·勒雷尔 .

中国专利 :CN111033759A ,2020-04-17

[10]

单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置 [P].

浦世亮 ;

彭彧 ;

徐凯敏 ;

苏星 ;

沈林杰 .

中国专利 :CN119008759A ,2024-11-22

← 1 2 3 4 5 →