半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910005133.7

申请日：

2004-02-06

公开(公告)号：

CN101521254B

公开(公告)日：

2009-09-02

发明(设计)人：

畑雅幸户田忠夫冈本重之井上大二朗别所靖之野村康彦山口勤

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S500 H01L2128

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

龙淳

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

畑雅幸 ;

户田忠夫 ;

冈本重之 ;

井上大二朗 ;

别所靖之 ;

野村康彦 ;

山口勤 .

中国专利 :CN1519998A ,2004-08-11

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

畑雅幸 ;

户田忠夫 ;

冈本重之 ;

井上大二朗 ;

别所靖之 ;

野村康彦 ;

山口勤 .

中国专利 :CN101114688A ,2008-01-30

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

畑雅幸 ;

户田忠夫 ;

冈本重之 ;

井上大二朗 ;

别所靖之 ;

野村康彦 ;

山口勤 .

中国专利 :CN101114687A ,2008-01-30

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

畑雅幸 ;

户田忠夫 ;

冈本重之 ;

井上大二朗 ;

别所靖之 ;

野村康彦 ;

山口勤 .

中国专利 :CN101222116B ,2008-07-16

[5]

半导体元件及其制造方法 [P].

畑雅幸 ;

户田忠夫 ;

冈本重之 ;

井上大二朗 ;

别所靖之 ;

野村康彦 ;

山口勤 .

中国专利 :CN102148295A ,2011-08-10

[6]

半导体元件及其制造方法 [P].

畑雅幸 ;

户田忠夫 ;

冈本重之 ;

井上大二朗 ;

别所靖之 ;

野村康彦 ;

山口勤 .

中国专利 :CN102142488A ,2011-08-03

[7]

半导体元件及其制造方法 [P].

砂本昌利 ;

上野隆二 ;

中村祥太郎 .

中国专利 :CN111742395A ,2020-10-02

[8]

半导体元件及其制造方法 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN110120428A ,2019-08-13

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

砂本昌利 ;

上野隆二 .

中国专利 :CN107431001A ,2017-12-01

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

砂本昌利 ;

上野隆二 .

中国专利 :CN110249074A ,2019-09-17

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101744718482 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2009100051337 登记生效日:20161221 变更事项:专利权人变更前权利人:未来之光有限责任公司变更后权利人:三洋电机株式会社变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:日本大阪府
2020-01-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20040206 授权公告日:20110601 终止日期:20190206
2009-09-02	公开	公开
2017-05-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750908116 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2009100051337 登记生效日:20170414 变更事项:专利权人变更前权利人:三洋电机株式会社变更后权利人:晶元光电股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:中国台湾新竹市科学园区力行五路5号
2011-06-01	授权	授权
2009-10-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-03-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:三洋电机株式会社变更后权利人:未来之光有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:美国加利福尼亚州登记生效日:20130306 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101554195603 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2009100051337