外延结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010718509.5

申请日：

2020-07-23

公开(公告)号：

CN111933763A

公开(公告)日：

2020-11-13

发明(设计)人：

范伟宏薛脱李东昇邬元杰蒋敏张成军

申请人：

申请人地址：

361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3324 H01L3314 H01L3332 H01L3312

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;李向英

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-23	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/06 变更事项:发明人变更前:范伟宏薛脱李东昇邬元杰蒋敏张成军变更后:范伟宏李东昇邬元杰蒋敏张成军
2020-11-13	公开	公开
2020-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20200723

共 50 条

[1]

外延结构及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

薛脱 ;

邬元杰 ;

李东昇 ;

蒋敏 ;

张成军 .

中国专利 :CN111933762A ,2020-11-13

[2]

外延结构及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

薛脱 ;

李东昇 ;

邬元杰 ;

蒋敏 ;

张成军 .

中国专利 :CN111933761A ,2020-11-13

[3]

红外LED外延结构及其制造方法 [P].

王亚宏 ;

李森林 ;

廖寅生 ;

薛龙 ;

赖玉财 ;

谢岚驰 .

中国专利 :CN115498080B ,2025-08-19

[4]

红外LED外延结构及其制造方法 [P].

王亚宏 ;

李森林 ;

廖寅生 ;

薛龙 ;

赖玉财 ;

谢岚驰 .

中国专利 :CN115498080A ,2022-12-20

[5]

GaN基LED外延结构及其制造方法 [P].

陈立人 ;

冯猛 .

中国专利 :CN105789391A ,2016-07-20

[6]

一种LED外延结构及其制备方法 [P].

罗文博 ;

肖崇武 ;

张铭信 ;

陈铭胜 .

中国专利 :CN114824004A ,2022-07-29

[7]

LED外延结构及其制备方法 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

曾家明 ;

刘春杨 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN115000263A ,2022-09-02

[8]

一种RGB外延结构及其制造方法与应用 [P].

黄文洋 ;

林雅雯 ;

黄国栋 ;

黄嘉宏 ;

杨顺贵 .

中国专利 :CN113451449A ,2021-09-28

[9]

LED外延结构及其制备方法 [P].

闫其昂 ;

陈立人 ;

陆骐峰 .

中国专利 :CN108807613A ,2018-11-13

[10]

一种Mg掺杂量子阱的AlGaN基深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

林伟 ;

卢诗强 ;

李金钗 ;

李书平 ;

康俊勇 ;

蔡端俊 .

中国专利 :CN111063753A ,2020-04-24

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