提高磷化铟量子点量子产率的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202080028744.8
申请日
2020-04-14
公开(公告)号
CN113710773A
公开(公告)日
2021-11-26
发明(设计)人
Y·A·乔 J·哈特洛弗 C·霍茨 王春明 W·郭 I·珍-拉·普兰特 J·T·蒂尔曼 J·J·柯利 C·伊彭 A·涂 龚柯 涂明虎
申请人
申请人地址
美国加利福尼亚州
IPC主分类号
C09K1170
IPC分类号
C09K1102 C09K1156 C09K1188
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
邰红;邵长准
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
提高磷化铟量子点量子产率的方法 [P]. 
Y·A·乔 ;
J·哈特洛弗 ;
C·霍茨 ;
王春明 ;
W·郭 ;
I·珍-拉·普兰特 ;
J·T·蒂尔曼 ;
J·J·柯利 ;
C·伊彭 ;
A·涂 ;
龚柯 ;
涂明虎 .
日本专利 :CN113710773B ,2024-09-10
[2]
量子点的小分子钝化以提高量子产率 [P]. 
I·珍-拉·普兰特 ;
Y·A·乔 ;
J·J·科里 ;
W·郭 ;
A·涂 ;
王春明 .
日本专利 :CN113366083B ,2024-06-25
[3]
量子点的小分子钝化以提高量子产率 [P]. 
I·珍-拉·普兰特 ;
Y·A·乔 ;
J·J·科里 ;
W·郭 ;
A·涂 ;
王春明 .
中国专利 :CN113366083A ,2021-09-07
[4]
提高量子产率的光电阴极 [P]. 
P·拉武特 ;
G·努泽尔 .
法国专利 :CN113994220B ,2024-06-25
[5]
提高量子产率的光电阴极 [P]. 
P·拉武特 ;
G·努泽尔 .
中国专利 :CN113994220A ,2022-01-28
[6]
一种高量子产率的碳量子点的制备方法 [P]. 
张正华 ;
张梦圆 .
中国专利 :CN110877904A ,2020-03-13
[7]
一种高荧光量子产率磷化铟纳米晶的制备方法 [P]. 
田建军 ;
王俊峰 ;
黄菲 .
中国专利 :CN119552659A ,2025-03-04
[8]
磷化铟荧光量子点的合成方法 [P]. 
任吉存 ;
昝峰 .
中国专利 :CN101294073A ,2008-10-29
[9]
一种磷化铟量子点的制备方法 [P]. 
夏思雨 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111592884B ,2020-08-28
[10]
一种磷化铟量子点的制备方法 [P]. 
张卫 ;
王允军 .
中国专利 :CN107098324A ,2017-08-29