SiC纳米线的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910072598.4

申请日：

2009-07-27

公开(公告)号：

CN101597059A

公开(公告)日：

2009-12-09

发明(设计)人：

温广武黄小萧张晓东王声函马飞翔李峰朱建东

申请人：

申请人地址：

150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C01B3136

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所

代理人：

荣玲

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101746394600 IPC(主分类):C01B 31/36 专利号:ZL2009100725984 申请日:20090727 授权公告日:20110126 终止日期:20160727
2011-01-26	授权	授权
2009-12-09	公开	公开
2010-02-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一维SiC纳米线的制备方法 [P].

康鹏超 ;

武高辉 ;

苏军 .

中国专利 :CN100488873C ,2007-10-10

[2]

快速制备SiC纳米线的方法 [P].

张亚非 ;

王峰磊 ;

张丽英 .

中国专利 :CN101327929B ,2008-12-24

[3]

一种低成本SiC纳米线的制备方法 [P].

温广武 ;

张晓东 ;

黄小萧 ;

钟博 ;

张旭 .

中国专利 :CN101104515B ,2008-01-16

[4]

一种B掺杂SiC纳米线的制备方法 [P].

陈善亮 ;

高凤梅 ;

王霖 ;

尚明辉 ;

杨为佑 .

中国专利 :CN106219548B ,2016-12-14

[5]

一种SiC纳米线功能薄膜的制备方法 [P].

牛晓巍 ;

刘雪冰 ;

王紫暄 ;

马馨宇 ;

阳肖 ;

杨兆滢 ;

翟配郴 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115312373A ,2022-11-08

[6]

一种SiC纳米线功能薄膜的制备方法 [P].

牛晓巍 ;

刘雪冰 ;

王紫暄 ;

马馨宇 ;

阳肖 ;

杨兆滢 ;

翟配郴 ;

尉国栋 .

中国专利 :CN115312373B ,2024-07-02

[7]

一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用 [P].

张晓东 ;

杨路路 ;

周宇航 ;

闫旭 ;

黄小萧 ;

温广武 ;

侯思民 ;

赵义 ;

刘文会 ;

刘璐 .

中国专利 :CN105733309A ,2016-07-06

[8]

一种制备SiC纳米线阵列的方法 [P].

师文生 ;

刘海龙 ;

佘广为 ;

凌世婷 .

中国专利 :CN101613881A ,2009-12-30

[9]

一种超长SiC纳米线的制备方法 [P].

张幸红 ;

方成 ;

董顺 ;

胡平 .

中国专利 :CN104773735A ,2015-07-15

[10]

一种分级结构SiC纳米线的制备方法 [P].

陈建军 ;

石强 ;

刘仁娟 ;

朱小燕 ;

辛利鹏 .

中国专利 :CN101870470A ,2010-10-27

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