一种制备二硒化铼纳米片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610887905.4

申请日：

2016-10-11

公开(公告)号：

CN106379871B

公开(公告)日：

2017-02-08

发明(设计)人：

陈远富戚飞郑斌杰李萍剑周金浩王新强张万里

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C01B1904

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-15	授权	授权
2021-09-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 19/04 申请日:20161011 授权公告日:20180515 终止日期:20201011
2017-02-08	公开	公开
2017-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101706080318 IPC(主分类):C01B 19/04 专利申请号:2016108879054 申请日:20161011

共 50 条

[1]

一种制备二硫化铼纳米片的方法 [P].

陈远富 ;

戚飞 ;

郑斌杰 ;

李萍剑 ;

周金浩 ;

王新强 ;

张万里 .

中国专利 :CN106277064B ,2017-01-04

[2]

一种制备二硫化铼薄膜的方法 [P].

陈远富 ;

戚飞 ;

郑斌杰 ;

李萍剑 ;

周金浩 ;

王新强 ;

张万里 .

中国专利 :CN105821383A ,2016-08-03

[3]

一种硒化锗纳米片及其制备方法 [P].

毛宇亮 ;

吴鑫 ;

邓纪财 ;

周星 .

中国专利 :CN115159474B ,2024-02-02

[4]

二硒化钨纳米片的制备方法 [P].

陈远富 ;

王新强 ;

戚飞 ;

郑斌杰 ;

贺加瑞 ;

周金浩 ;

张万里 .

中国专利 :CN105776154A ,2016-07-20

[5]

一种二硒化钨纳米片的制备方法 [P].

李长生 ;

晋跃 ;

唐华 ;

范有志 ;

郭自成 .

中国专利 :CN102092690A ,2011-06-15

[6]

一种高纯度二硒化锡纳米片的制备方法 [P].

刘科高 ;

汤爱君 ;

马海龙 .

中国专利 :CN101412505A ,2009-04-22

[7]

一种二硫化铼纳米片的制备方法 [P].

赵亚娟 ;

李建国 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

冯亮亮 ;

冯永强 .

中国专利 :CN110002504B ,2019-07-12

[8]

一种二硫化铼纳米片的制备方法及应用 [P].

张璋 ;

张颖 ;

刘元武 ;

宋伟铭 ;

张旭岩 ;

容诗雅 .

中国专利 :CN111792675A ,2020-10-20

[9]

一种二硒化钨纳米片及其制备方法 [P].

程迎春 ;

苗东鹏 ;

罗小光 ;

刘凡 .

中国专利 :CN115367714A ,2022-11-22

[10]

一种二维纳米片的制备方法 [P].

顾林 ;

孙九龙 .

中国专利 :CN113620261B ,2021-11-09

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