一种锆钛酸铅压电薄膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110082483.4

申请日：

2021-01-21

公开(公告)号：

CN112928200A

公开(公告)日：

2021-06-08

发明(设计)人：

欧阳俊王莹莹

申请人：

申请人地址：

250353 山东省济南市长清区大学路3501号

IPC主分类号：

H01L41187

IPC分类号：

H01L41316 H01L4139 H01L4109 C23C1435 C23C1402 C23C1408

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

张晓鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/187 申请日:20210121
2021-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种锆钛酸铅压电薄膜的制备方法 [P].

李明利 ;

纪松 ;

钱坤明 ;

张延松 ;

丁昂 .

中国专利 :CN103880420B ,2014-06-25

[2]

一种锆钛酸铅薄膜及其低温制备方法与应用 [P].

程鑫 ;

李云飞 ;

刘荣跃 ;

罗芹 ;

詹绍虎 ;

李义麟 ;

徐靖夫 .

中国专利 :CN119307858A ,2025-01-14

[3]

一种锆钛酸铅薄膜及其制备方法 [P].

邹赫麟 ;

李奇 ;

王兴 ;

韩梅 ;

周毅 .

中国专利 :CN108727020A ,2018-11-02

[4]

一种高性能锆钛酸铅压电薄膜底电极的制备方法 [P].

韩梅 ;

王兴 ;

王富安 ;

王力成 .

中国专利 :CN110112285A ,2019-08-09

[5]

一种锆钛酸铅多孔压电陶瓷及其制备方法和应用 [P].

许杰 ;

夏晨赫 ;

冯晓颖 ;

王寒可 ;

杨青云 ;

高峰 .

中国专利 :CN120682047A ,2025-09-23

[6]

一种锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN118851758A ,2024-10-29

[7]

一种锑锰酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法 [P].

张骥 ;

殷杰 ;

王佳佳 ;

汪尧进 .

中国专利 :CN121202557A ,2025-12-26

[8]

一种锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法 [P].

朱惠祥 ;

秦晨 .

中国专利 :CN111362695A ,2020-07-03

[9]

一种单晶锆钛酸铅薄膜及其制备和应用 [P].

韩高荣 ;

林宸 ;

任召辉 ;

陈嘉璐 ;

周迪逵 ;

曹海文 .

中国专利 :CN113249789B ,2021-08-13

[10]

一种锆钛酸铅-锑锰酸铅压电陶瓷的制备方法 [P].

张飞洋 ;

郇正利 ;

闫锋 ;

唐发俊 ;

娄岳 ;

徐轩宇 ;

马立智 .

中国专利 :CN109265168A ,2019-01-25

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