一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010464304.9
申请日
2020-05-27
公开(公告)号
CN111653404B
公开(公告)日
2020-09-11
发明(设计)人
史丙强 刘磊 马丹 宿云婷
申请人
申请人地址
264006 山东省烟台市开发区汕头大街9号
IPC主分类号
H01F1057
IPC分类号
H01F4102 C22C3810 C22C3816 C22C3814 C22C3806 C22C3804 C22C3812 C23C1424 C23C1435 C23C1416
代理机构
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535
代理人
聂稻波;吕少楠
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
钕铁硼磁体及其制备方法和应用 [P]. 
汤志辉 ;
李可 ;
陈大崑 ;
许德钦 ;
付刚 ;
黄佳莹 ;
王金磊 ;
饶光辉 ;
黄志高 .
中国专利 :CN119601330B ,2025-10-10
[2]
钕铁硼磁体及其制备方法和应用 [P]. 
汤志辉 ;
李可 ;
陈大崑 ;
许德钦 ;
付刚 ;
黄佳莹 ;
王金磊 ;
饶光辉 ;
黄志高 .
中国专利 :CN119601330A ,2025-03-11
[3]
钕铁硼磁体及其制备方法和应用 [P]. 
汤志辉 ;
李可 ;
陈大崑 ;
许德钦 ;
付刚 ;
黄佳莹 ;
王金磊 ;
饶光辉 ;
黄志高 .
中国专利 :CN119601331A ,2025-03-11
[4]
一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用 [P]. 
周逸浩 ;
宗伟 ;
彭金宝 ;
白夏冰 ;
李宗臻 .
中国专利 :CN119852048A ,2025-04-18
[5]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
王登兴 ;
杜飞 ;
刘晨晨 ;
魏方允 ;
徐道标 ;
林光明 ;
余强 ;
陶骏 .
中国专利 :CN120636993A ,2025-09-12
[6]
钕铁硼磁体及其制备方法 [P]. 
王登兴 ;
杜飞 ;
刘晨晨 ;
魏方允 ;
徐道标 ;
林光明 ;
余强 ;
陶骏 .
中国专利 :CN120636993B ,2025-12-09
[7]
钕铁硼磁体及其制备方法和应用 [P]. 
于永江 ;
刘磊 ;
安仲鑫 ;
房效广 ;
耿国强 .
中国专利 :CN114284018A ,2022-04-05
[8]
钕铁硼磁体及其制备方法和应用 [P]. 
于永江 ;
刘磊 ;
安仲鑫 ;
房效广 ;
耿国强 .
中国专利 :CN114284018B ,2025-01-28
[9]
钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用 [P]. 
郑大伟 ;
杨过 ;
曹鑫 ;
杨威 ;
廖超 ;
郑传波 .
中国专利 :CN120236882A ,2025-07-01
[10]
钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用 [P]. 
郑大伟 ;
杨过 ;
曹鑫 ;
杨威 ;
廖超 ;
郑传波 .
中国专利 :CN120236882B ,2025-08-19