一种VS2纳米材料的制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610284538.9

申请日：

2016-04-29

公开(公告)号：

CN105870444A

公开(公告)日：

2016-08-17

发明(设计)人：

黄剑锋李文斌王海静李瑞梓费杰曹丽云任一杰罗晓敏闻稼宝程呈

申请人：

申请人地址：

710021 陕西省西安市未央区大学园1号

IPC主分类号：

H01M458

IPC分类号：

H01M10052 B82Y4000

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

陆万寿

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-17	公开	公开
2019-06-04	授权	授权
2016-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101678611862 IPC(主分类):H01M 4/58 专利申请号:2016102845389 申请日:20160429

共 50 条

[1]

一种纳米片自组装微米花状VS2的制备方法及应用 [P].

黄剑锋 ;

李文斌 ;

王海静 ;

李瑞梓 ;

费杰 ;

曹丽云 ;

任一杰 ;

罗晓敏 ;

闻稼宝 ;

程呈 .

中国专利 :CN105819507B ,2016-08-03

[2]

手风琴状VS2材料及其制备方法和应用 [P].

安琴友 ;

孙睿敏 ;

魏湫龙 ;

麦立强 .

中国专利 :CN105977487B ,2016-09-28

[3]

一种由VS2纳米片组成的分等级结构球的制备方法及应用 [P].

魏明灯 ;

王建标 .

中国专利 :CN109205671A ,2019-01-15

[4]

一种多级结构VS4纳米粉体及其制备方法和应用 [P].

黄剑锋 ;

李文斌 ;

王海静 ;

李瑞梓 ;

费杰 ;

曹丽云 ;

任一杰 ;

罗晓敏 ;

闻稼宝 ;

井宣人 .

中国专利 :CN105923652B ,2016-09-07

[5]

一种软硬碳复合纳米材料的制备方法 [P].

卢颖莉 ;

荆葛 ;

郑达 ;

冯冬梅 ;

乔志军 ;

刘丛刚 .

中国专利 :CN114516627A ,2022-05-20

[6]

一种一步溶剂热法制备VS2钠离子电池负极材料的方法 [P].

任慢慢 ;

臧浩廷 ;

曹石磊 ;

杨飞 ;

刘伟良 .

中国专利 :CN114725375A ,2022-07-08

[7]

一种超大层间距金属纳米片VS2的制备方法 [P].

许婧 ;

黄克靖 ;

胡思波 ;

王澳 ;

李继勇 ;

谢星辰 ;

王丽娜 ;

董钟 ;

武旭 .

中国专利 :CN113241436A ,2021-08-10

[8]

一种具有层级结构的VS2纳米片阵列电极材料的合成方法 [P].

曹丽云 ;

施潇虎 ;

冯亮亮 ;

黄剑锋 ;

李振哲 ;

刘明鑫 ;

陈倩 ;

杨立学 .

中国专利 :CN109650493A ,2019-04-19

[9]

一种用于钠离子电池的CuSe纳米材料及其制备方法 [P].

陈琛 ;

罗永松 ;

胡启临 .

中国专利 :CN114122388B ,2024-04-02

[10]

一种用于钠离子电池的CuSe纳米材料及其制备方法 [P].

陈琛 ;

罗永松 ;

胡启临 .

中国专利 :CN114122388A ,2022-03-01

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