三维相变存储器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110198002.6
申请日
2021-02-22
公开(公告)号
CN112951990B
公开(公告)日
2021-06-11
发明(设计)人
刘峻
申请人
申请人地址
430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
IPC主分类号
H01L4500
IPC分类号
H01L2724
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
邵磊;张颖玲
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
三维相变存储器及其制备方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN112968126A ,2021-06-15
[2]
三维相变存储器及其制备方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN112117298B ,2020-12-22
[3]
三维相变存储器及其制备方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN112951992A ,2021-06-11
[4]
三维相变存储器的制备方法及三维相变存储器 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN111739904B ,2020-10-02
[5]
三维相变存储器及其制造方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN114256292B ,2024-12-24
[6]
三维相变存储器及其制造方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN113871414A ,2021-12-31
[7]
三维相变存储器及其制造方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN118339545A ,2024-07-12
[8]
三维相变存储器及其制造方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN114256292A ,2022-03-29
[9]
一种三维相变存储器的制备方法及三维相变存储器 [P]. 
刘峻 ;
杨红心 ;
田宝毅 ;
高王荣 .
中国专利 :CN113517311A ,2021-10-19
[10]
三维相变存储器及其制作方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN118339647A ,2024-07-12