功率半导体的可靠区域接合件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310178772.X

申请日：

2013-05-15

公开(公告)号：

CN103426861B

公开(公告)日：

2013-12-04

发明(设计)人：

R.巴耶雷尔

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L23532 H01L23535

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

胡莉莉;李浩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-04	公开	公开
2013-12-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101558125934 IPC(主分类):H01L 23/528 专利申请号:201310178772X 申请日:20130515
2016-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

具有带功率半导体构件的夹层件的功率半导体模块 [P].

克里斯蒂安·约布尔 ;

汤姆斯·施托克迈尔 .

中国专利 :CN101964331A ,2011-02-02

[2]

功率半导体模块以及生产功率半导体模块的方法 [P].

马国伟 .

德国专利 :CN118073293A ,2024-05-24

[3]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

M·路德维希 .

中国专利 :CN113690192A ,2021-11-23

[4]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

R·诺特尔曼 ;

A·阿伦斯 ;

M·埃布利 ;

A·赫布兰特 ;

U·M·G·施瓦策尔 ;

A·塔克卡奇 .

中国专利 :CN113903727A ,2022-01-07

[5]

功率半导体模块以及操作功率半导体模块的方法 [P].

H·哈通 ;

D·西佩 .

中国专利 :CN102136469B ,2011-07-27

[6]

功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法 [P].

M·路德维希 .

德国专利 :CN113690192B ,2025-09-23

[7]

功率半导体模块 [P].

约翰尼斯·克利尔 .

中国专利 :CN113380774A ,2021-09-10

[8]

功率半导体模块 [P].

M·埃布利 .

中国专利 :CN115472585A ,2022-12-13

[9]

功率半导体模块 [P].

雷纳·波普 ;

马科·莱德勒 .

中国专利 :CN101071809A ,2007-11-14

[10]

功率半导体模块 [P].

托马斯·杜特梅依尔 ;

托马斯·瑙尔 ;

乔治·布雷克 ;

龙尼·赫姆斯 .

中国专利 :CN103117276A ,2013-05-22

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