用于非易失性存储器的高电压架构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680004568.8

申请日：

2016-01-22

公开(公告)号：

CN107112368A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

波格丹·乔盖斯库加里·莫斯卡鲁克维贾伊·拉加万伊葛·葛兹尼索夫

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2980

IPC分类号：

H01L31113

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

陆建萍;杨明钊

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/80 申请公布日:20170829
2017-08-29	公开	公开
2019-06-18	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/80 登记生效日:20190530 变更事项:申请人变更前权利人:赛普拉斯半导体公司变更后权利人:经度快闪存储解决方案有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:爱尔兰都柏林
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749366125 IPC(主分类):H01L 29/80 专利申请号:2016800045688 申请日:20160122

共 50 条

[1]

非易失性存储器架构 [P].

X·莱科克 ;

A·雷扎芬德莱比 ;

T·茹阿诺 .

:CN119694367A ,2025-03-25

[2]

非易失性存储器架构 [P].

C.德雷 ;

K.霍夫曼 ;

A.奈伊 .

中国专利 :CN102456402A ,2012-05-16

[3]

用于非易失性存储器的电力架构 [P].

林其松 ;

许帅 ;

J·S·帕里 ;

J·宾福特 ;

M·皮卡尔迪 ;

梁卿 .

中国专利 :CN114882918A ,2022-08-09

[4]

用于非易失性存储器的写电压驱动电路及非易失性存储器 [P].

许延华 ;

陈艳 ;

白俊峰 ;

孟颖 ;

李欢 .

中国专利 :CN116758963B ,2024-05-14

[5]

用于非易失性存储器的刷新架构及算法 [P].

费迪南多·贝代斯基 ;

罗伯托·加斯塔尔迪 .

中国专利 :CN102834870B ,2012-12-19

[6]

用于非易失性存储器的升压器 [P].

潘锋 ;

坎德克尔·N·夸德尔 .

中国专利 :CN100490156C ,2005-04-27

[7]

用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器 [P].

张永伟 .

中国专利 :CN119360906A ,2025-01-24

[8]

用于非易失性存储器的数据读取电路和非易失性存储器 [P].

张永伟 .

中国专利 :CN119360906B ,2025-04-18

[9]

用于在非易失性存储器器件中产生提升电压的电路 [P].

郑象和 .

中国专利 :CN1921012A ,2007-02-28

[10]

适用于非易失性存储器的电压选择电路 [P].

唐明华 ;

谭彩虹 ;

肖永光 ;

燕少安 ;

李刚 ;

李正 .

中国专利 :CN112331245B ,2021-02-05

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