半导体发光元件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710142007.7

申请日：

2007-08-13

公开(公告)号：

CN101369618B

公开(公告)日：

2009-02-18

发明(设计)人：

邱清华黄泓文郭浩中卢廷昌王兴宗赖志铭

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北市

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-18	公开	公开
2009-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-08-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光元件及其制作方法 [P].

陈泽澎 ;

谢素芬 .

中国专利 :CN100461470C ,2006-05-31

[2]

半导体发光元件及其制作方法 [P].

杜升翰 ;

许国君 ;

蔡胜杰 ;

廖冠咏 ;

李允立 .

中国专利 :CN103367582A ,2013-10-23

[3]

半导体发光元件及其制作方法 [P].

林俊宇 ;

倪庆怀 ;

陈怡名 ;

徐子杰 ;

邱新智 ;

吕志强 ;

林敬倍 .

中国专利 :CN107256860A ,2017-10-17

[4]

半导体发光元件及其制作方法 [P].

林俊宇 ;

倪庆怀 ;

陈怡名 ;

徐子杰 ;

邱新智 ;

吕志强 ;

林敬倍 .

中国专利 :CN104798175B ,2015-07-22

[5]

半导体发光元件及其制作方法 [P].

洪钦华 ;

林育锋 ;

洪政暐 ;

李皓钧 ;

詹勋贤 .

中国专利 :CN105990505A ,2016-10-05

[6]

半导体发光元件及其制作方法 [P].

佐佐木和明 ;

中村淳一 .

中国专利 :CN1190267A ,1998-08-12

[7]

一种半导体发光元件及其制作方法 [P].

史成丹 ;

卓祥景 ;

万志 ;

王莎莎 ;

尧刚 ;

程伟 .

中国专利 :CN115799414B ,2025-10-03

[8]

一种半导体发光元件及其制作方法 [P].

万志 ;

程伟 ;

杨少鑫 ;

王莎莎 ;

卓祥景 ;

柯志杰 ;

艾国齐 .

中国专利 :CN118712303A ,2024-09-27

[9]

半导体发光元件及其晶粒制作方法 [P].

曾文良 ;

陈隆欣 .

中国专利 :CN101577299A ,2009-11-11

[10]

GaN基半导体发光元件及其制作方法 [P].

奥山浩之 ;

琵琶刚志 .

中国专利 :CN101142693A ,2008-03-12

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