存储器单元阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810948208.4

申请日：

2014-07-22

公开(公告)号：

CN109273444A

公开(公告)日：

2019-01-25

发明(设计)人：

卡迈勒·M·考尔道钱德拉·穆利古尔特杰·S·桑胡

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2711514

IPC分类号：

H01L271157 H01L2711578 H01L2711582 H01L2711585 H01L271159 H01L2711597 H01L2906 H01L2910 H01L2924 H01L29423 H01L2949 H01L2951 H01L2978 H01L29786 H01L2102 H01L2128 H01L21336 G11C1122

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

存储器阵列、铁电晶体管以及与存储器阵列的存储器单元相关的读取与写入方法 [P].

D·V·N·拉马斯瓦米 ;

W·肯尼 .

中国专利 :CN109075176A ,2018-12-21

[2]

存储器单元和存储器单元阵列 [P].

松原安士 .

中国专利 :CN115440264A ,2022-12-06

[3]

存储器单元和存储器单元阵列 [P].

S·J·阿梅德 ;

K·J·多里 .

中国专利 :CN215376932U ,2021-12-31

[4]

存储器单元和存储器单元阵列 [P].

松原安士 .

中国专利 :CN109427382B ,2019-03-05

[5]

存储器单元和存储器单元阵列 [P].

松原安士 .

美国专利 :CN115440264B ,2025-10-21

[6]

存储器单元及存储器单元阵列 [P].

斯科特·E·西里斯 ;

古尔特杰·S·桑胡 ;

山·D·唐 ;

约翰·斯迈思 .

中国专利 :CN103858231A ,2014-06-11

[7]

存储器单元及存储器单元阵列 [P].

杜赖·维沙克·尼马尔·拉马斯瓦米 ;

韦恩·肯尼 ;

马尔科·蒂布尔齐 .

中国专利 :CN106463170B ,2017-02-22

[8]

存储器单元阵列 [P].

池育德 ;

徐德训 .

中国专利 :CN101290801B ,2008-10-22

[9]

存储器单元阵列及形成存储器单元阵列的层的方法 [P].

D·V·N·拉马斯瓦米 .

美国专利 :CN110214374B ,2024-03-19

[10]

存储器阵列和存储器单元 [P].

H·埃尔迪拉尼 ;

T·贝德卡尔拉茨 ;

P·加利 .

中国专利 :CN209389036U ,2019-09-13

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11514 申请日:20140722
2019-01-25	公开	公开