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存储器件及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110303314.9
申请日
:
2021-03-22
公开(公告)号
:
CN113517304A
公开(公告)日
:
2021-10-19
发明(设计)人
:
吴昭谊
贾汉中
林佑明
杨世海
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H01L271159
IPC分类号
:
H01L2711597
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;李伟
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-05
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1159 申请日:20210322
2021-10-19
公开
公开
共 50 条
[1]
存储器件及其形成方法
[P].
吴昭谊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
吴昭谊
;
贾汉中
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
贾汉中
;
林佑明
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林佑明
;
杨世海
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨世海
.
中国专利
:CN113517304B
,2024-12-24
[2]
存储器件及其形成方法
[P].
吕俊颉
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吕俊颉
;
杨世海
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杨世海
;
杨柏峰
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杨柏峰
;
林佑明
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林佑明
;
贾汉中
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贾汉中
.
中国专利
:CN113380827A
,2021-09-10
[3]
存储器结构、存储器件及其形成方法
[P].
吴咏捷
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吴咏捷
;
何彦忠
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何彦忠
;
魏惠娴
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魏惠娴
;
游嘉榕
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游嘉榕
;
许秉诚
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许秉诚
;
马礼修
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马礼修
;
林仲德
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0
林仲德
.
中国专利
:CN113488477A
,2021-10-08
[4]
存储器件及其形成方法
[P].
仇圣棻
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仇圣棻
;
孔繁生
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孔繁生
.
中国专利
:CN104752359A
,2015-07-01
[5]
存储器件及其形成方法
[P].
洪中山
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洪中山
;
杨芸
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杨芸
.
中国专利
:CN104752434A
,2015-07-01
[6]
存储器件及其形成方法
[P].
黄波
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黄波
;
薛磊
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薛磊
;
薛家倩
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薛家倩
;
高庭庭
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高庭庭
;
耿万波
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耿万波
;
刘小欣
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刘小欣
.
中国专利
:CN111448659A
,2020-07-24
[7]
存储器件及其形成方法
[P].
许庆爽
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机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
许庆爽
;
綦殿禹
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机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
綦殿禹
;
吴永玉
论文数:
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机构:
浙江创芯集成电路有限公司
浙江创芯集成电路有限公司
吴永玉
.
中国专利
:CN120076330A
,2025-05-30
[8]
存储器件及其形成方法
[P].
藤原英弘
论文数:
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
藤原英弘
;
石井雄一郎
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
石井雄一郎
;
薮内诚
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
薮内诚
;
滨田昌也
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
滨田昌也
;
粘逸昕
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
粘逸昕
;
林志宇
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林志宇
;
陈炎辉
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
陈炎辉
;
王奕
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王奕
.
中国专利
:CN120708672A
,2025-09-26
[9]
存储器件及其形成方法
[P].
肖莉红
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肖莉红
;
王恩博
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王恩博
;
汤召辉
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汤召辉
;
陶谦
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陶谦
;
周玉婷
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周玉婷
;
李思晢
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李思晢
;
李兆松
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李兆松
;
刘沙沙
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刘沙沙
.
中国专利
:CN109196643A
,2019-01-11
[10]
存储器件及其形成方法
[P].
孙中旺
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孙中旺
;
张中
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张中
;
刘磊
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刘磊
;
周文犀
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周文犀
;
夏志良
论文数:
0
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0
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夏志良
.
中国专利
:CN111819691B
,2020-10-23
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