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一种SGT-MOSFET及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110653721.2
申请日：
2021-06-11
公开(公告)号：
CN113471078A
公开(公告)日：
2021-10-01
发明(设计)人：
高学
代萌
申请人：
申请人地址：
200135 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区盛夏路560号904室
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L2128
H01L2978
H01L29423
代理机构：
北京智托宝知识产权代理有限公司 11958
代理人：
刘奕彤
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210611 |
| 2021-10-01 | 公开 | 公开 |