半导体结构的制作方法以及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111007834.1

申请日：

2021-08-30

公开(公告)号：

CN113725222A

公开(公告)日：

2021-11-30

发明(设计)人：

楚明罗兴安张莉王雄禹周毅

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L2711524

IPC分类号：

H01L2711551 H01L271157 H01L2711578

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

霍文娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-30	公开	公开
2021-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11524 申请日:20210830

共 50 条

[1]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

杨永刚 .

中国专利 :CN114023759A ,2022-02-08

[2]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

张丝柳 ;

苏界 ;

郎陆广 .

中国专利 :CN114446987A ,2022-05-06

[3]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

王淑奇 ;

刘宇恒 ;

俞华亮 ;

贺谋飞 ;

倪振飞 ;

冯伟 ;

郑起明 .

中国专利 :CN120882024A ,2025-10-31

[4]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

张静 ;

许宗能 ;

朱梦媚 .

中国专利 :CN115527860A ,2022-12-27

[5]

半导体结构以及半导体结构的制作方法 [P].

郭琦 ;

杨孝东 ;

贺谋飞 ;

张晨阳 ;

李磊 .

中国专利 :CN121240436A ,2025-12-30

[6]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

曾最新 ;

赵祥辉 .

中国专利 :CN113937108A ,2022-01-14

[7]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

吴保润 ;

刘忠明 .

中国专利 :CN121013326A ,2025-11-25

[8]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

熊少游 ;

程磊 ;

付家赫 .

中国专利 :CN113506771B ,2021-10-15

[9]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

杨永刚 .

中国专利 :CN113948386A ,2022-01-18

[10]

半导体结构的制作方法以及半导体结构 [P].

杨康 ;

张高升 ;

罗兴安 .

中国专利 :CN113506728A ,2021-10-15

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