氮化物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010258196.6

申请日：

2005-11-02

公开(公告)号：

CN101931164B

公开(公告)日：

2010-12-29

发明(设计)人：

山田英司神川刚荒木正浩

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-29	公开	公开
2013-02-06	授权	授权
2011-02-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101037125677 IPC(主分类):H01S 5/343 专利申请号:2010102581966 申请日:20051102
2022-04-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/343 登记生效日:20220412 变更事项:专利权人变更前权利人:夏普株式会社变更后权利人:夏普福山激光株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府变更后权利人:日本广岛县福山市大门町旭1番地

共 50 条

[1]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN102280817A ,2011-12-14

[2]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN101179178A ,2008-05-14

[3]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN101540477A ,2009-09-23

[4]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

山田英司 ;

神川刚 ;

荒木正浩 .

中国专利 :CN100508311C ,2006-05-10

[5]

氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 [P].

后藤修 ;

浅野竹春 ;

竹谷元伸 ;

簗克典 ;

池田真朗 ;

涉谷胜义 ;

铃木康彦 .

中国专利 :CN1296970C ,2003-09-24

[6]

氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 [P].

后藤修 ;

浅野竹春 ;

竹谷元伸 ;

簗嵨克典 ;

池田真朗 ;

涉谷胜义 ;

铃木康彦 .

中国专利 :CN1574228A ,2005-02-02

[7]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

徐廷勋 ;

张峻豪 ;

金钟旭 .

中国专利 :CN1700413A ,2005-11-23

[8]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

笔田麻佑子 ;

驹田聪 .

中国专利 :CN1835189A ,2006-09-20

[9]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

吉冈启 ;

齐藤泰伸 ;

藤本英俊 ;

大野哲也 ;

斋藤涉 ;

杉山亨 .

中国专利 :CN102694019B ,2012-09-26

[10]

氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

何清源 ;

郝荣晖 .

中国专利 :CN115939204B ,2024-01-02

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