二氧化钛自洁薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410470088.3

申请日：

2014-09-16

公开(公告)号：

CN104195534A

公开(公告)日：

2014-12-10

发明(设计)人：

王芸操芳芳金良茂彭程

申请人：

申请人地址：

200061 上海市普陀区中山北路2000号中期大厦27层

IPC主分类号：

C23C2008

IPC分类号：

C03C1723 C04B4185

代理机构：

上海硕力知识产权代理事务所 31251

代理人：

王法男

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101741360508 IPC(主分类):C23C 20/08 专利申请号:2014104700883 申请日:20140916
2014-12-10	公开	公开
2019-10-22	授权	授权

共 50 条

[1]

二氧化钛自洁薄膜的制备装置 [P].

王芸 ;

操芳芳 ;

金良茂 ;

彭程 .

中国专利 :CN204211824U ,2015-03-18

[2]

二氧化钛薄膜的制备方法 [P].

冯威 ;

王晓峰 ;

朱晓东 ;

王清远 ;

罗建军 ;

付朝坤 ;

孙艳 ;

孔清泉 ;

王小炼 ;

孙丰云 ;

何喜 ;

黄林 ;

安旭光 ;

杨旭林 ;

卢超 ;

宋薇薇 ;

姜为 ;

李黎 ;

陈渝 ;

吴节节 ;

冯再 ;

赵虔 ;

马娟 ;

董志红 ;

钱扬顺 .

中国专利 :CN110117787A ,2019-08-13

[3]

二氧化钛薄膜的制备方法 [P].

胡瑞楷 ;

陈宏昌 ;

林文婷 .

中国专利 :CN101736295B ,2010-06-16

[4]

二氧化钛薄膜的制备方法 [P].

黄富强 ;

吕旭杰 ;

吴建军 .

中国专利 :CN102173450A ,2011-09-07

[5]

二氧化钛纳米薄膜制备方法及二氧化钛纳米薄膜 [P].

邓辉 .

中国专利 :CN110499497B ,2019-11-26

[6]

二氧化钛薄膜电极的制备方法 [P].

祝平 .

中国专利 :CN103346288A ,2013-10-09

[7]

纳米二氧化钛薄膜的制备方法 [P].

方侃 .

中国专利 :CN100411739C ,2005-09-07

[8]

金属钛表面制备二氧化钛薄膜的方法及其制备的表面覆盖二氧化钛薄膜的钛板 [P].

吴进明 ;

甘澍霆 ;

甘宪 .

中国专利 :CN1544684A ,2004-11-10

[9]

二氧化钛双层薄膜电极的制备方法 [P].

祝平 .

中国专利 :CN103295789A ,2013-09-11

[10]

掺氮二氧化钛薄膜的制备方法 [P].

万军 ;

赵柯杰 ;

黄成强 ;

饶志鹏 ;

陈波 ;

李超波 ;

夏洋 ;

吕树玲 ;

石莎莉 .

中国专利 :CN103160802B ,2013-06-19

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