一种窄粒度分布高纯氮化硅粉体的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610606052.2
申请日
2016-07-29
公开(公告)号
CN106220188A
公开(公告)日
2016-12-14
发明(设计)人
张嵘 刘久明
申请人
申请人地址
054300 河北省邢台市临城工业园区中兴大街北段路西
IPC主分类号
C04B35626
IPC分类号
C04B35584 C01B21068
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一种氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
柏小龙 .
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[2]
一种高纯高α相氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
颜记朋 ;
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[3]
一种结构陶瓷用高纯氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
付亚杰 ;
刘久明 .
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[4]
氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P]. 
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王正 ;
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杜盼盼 ;
薛国梁 .
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[5]
氮化硅粉体的制备方法及氮化硅粉体 [P]. 
史颖颖 ;
王正 ;
王良 ;
杜盼盼 ;
薛国梁 .
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[6]
一种高纯氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
尹兴磊 ;
尹常志 ;
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[7]
一种易烧结高纯氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
张景贤 ;
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中国专利 :CN114716252A ,2022-07-08
[8]
一种氮化硅粉体的制备方法 [P]. 
张晶 ;
孙峰 ;
张伟儒 ;
董廷霞 ;
徐学敏 ;
姜自飞 ;
段伟斌 ;
王春河 ;
王梅 .
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[9]
一种超声酸洗辅助制备高纯氮化硅粉体的方法 [P]. 
曾小锋 ;
高朋召 ;
覃航 ;
朱福林 ;
谭庆文 .
中国专利 :CN117509568B ,2025-05-13
[10]
一种超声酸洗辅助制备高纯氮化硅粉体的方法 [P]. 
曾小锋 ;
高朋召 ;
覃航 ;
朱福林 ;
谭庆文 .
中国专利 :CN117509568A ,2024-02-06