一种高电源抑制比全CMOS基准电压源

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720277052.2

申请日：

2017-03-21

公开(公告)号：

CN206573970U

公开(公告)日：

2017-10-20

发明(设计)人：

岳宏卫龚全熙朱智勇徐卫林吴超飞孙晓菲汤寒雪邓进丽

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

IPC主分类号：

G05F1567

IPC分类号：

代理机构：

桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107

代理人：

陈跃琳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-20	授权	授权
2018-02-16	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权 IPC(主分类):G05F 1/567 申请日:20170321 授权公告日:20171020 放弃生效日:20180216

共 50 条

[1]

一种高电源抑制比全CMOS基准电压源 [P].

岳宏卫 ;

龚全熙 ;

朱智勇 ;

徐卫林 ;

吴超飞 ;

孙晓菲 ;

汤寒雪 ;

邓进丽 .

中国专利 :CN106843358A ,2017-06-13

[2]

一种全CMOS基准电压源 [P].

岳宏卫 ;

邓进丽 ;

朱智勇 ;

韦雪明 ;

段吉海 .

中国专利 :CN205620849U ,2016-10-05

[3]

一种高电源抑制比低温漂带隙基准电压源 [P].

宋明歆 ;

樊旭尧 ;

杨美中 .

中国专利 :CN108445956A ,2018-08-24

[4]

一种高电源抑制比的基准电压源 [P].

郝振刚 ;

李启龙 ;

邱德华 ;

单来成 ;

尚绪树 ;

桑涛 ;

宋金凤 ;

颜雨 ;

李新实 .

中国专利 :CN202916739U ,2013-05-01

[5]

高电源抑制比的基准电压源 [P].

齐盛 .

中国专利 :CN204631678U ,2015-09-09

[6]

一种高电源抑制比基准电压源 [P].

王海时 ;

毛焜 ;

杨燕 ;

彭映杰 ;

王天宝 ;

李英祥 ;

刘丹 ;

杨春俊 .

中国专利 :CN107918432A ,2018-04-17

[7]

一种高电源抑制比基准电压源 [P].

刘丹 ;

王海时 ;

毛焜 ;

杨燕 ;

彭映杰 ;

王天宝 ;

李英祥 ;

杨春俊 .

中国专利 :CN207611302U ,2018-07-13

[8]

一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源 [P].

林秀龙 ;

刘中伟 .

中国专利 :CN102053645B ,2011-05-11

[9]

一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源 [P].

林秀龙 ;

刘中伟 .

中国专利 :CN201936216U ,2011-08-17

[10]

一种高电源抑制比的基准电压源 [P].

郝振刚 ;

李启龙 ;

邱德华 ;

单来成 ;

尚绪树 ;

桑涛 ;

宋金凤 ;

颜雨 ;

李新实 .

中国专利 :CN102929324A ,2013-02-13

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