取向生长晶体阵列构成的钒酸铋薄膜电极及其制备和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910303856.9

申请日：

2019-04-16

公开(公告)号：

CN111821972A

公开(公告)日：

2020-10-27

发明(设计)人：

李灿李登施晶莹

申请人：

申请人地址：

116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号

IPC主分类号：

B01J2322

IPC分类号：

B01J3702 B01J3710 B01J3708 C01B304

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002

代理人：

马驰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	公开	公开
2020-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B01J 23/22 申请日:20190416

共 50 条

[1]

一种透明导电基底上生长的[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列及其制备和应用 [P].

秦冬冬 ;

耿园园 ;

段世芳 ;

张平 ;

刘文峰 ;

邓湘舟 .

中国专利 :CN108579724A ,2018-09-28

[2]

一种NiB助剂改性的钒酸铋纳米多孔薄膜电极及其制备方法和应用 [P].

巩金龙 ;

党珂 ;

常晓侠 ;

王拓 .

中国专利 :CN109518213A ,2019-03-26

[3]

一种具有[010]优势生长取向的、类单晶钒酸铋纳米棒阵列的制备方法 [P].

何冬青 ;

王丽杰 ;

叶腾凌 ;

王星月 ;

王琦 ;

张晓臣 ;

崔向红 ;

刘晓东 ;

杨娜 ;

张松 .

中国专利 :CN114182281A ,2022-03-15

[4]

一种单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜及其制备方法和应用 [P].

王松灿 ;

黄维 .

中国专利 :CN115010173A ,2022-09-06

[5]

一种富含表层氧空位的钒酸铋电极及其制备方法和应用 [P].

巩金龙 ;

冯时佳 ;

王拓 ;

刘斌 ;

胡聪玲 .

中国专利 :CN110791777A ,2020-02-14

[6]

钒酸铋纳米阵列型光电催化阳极及其制备方法和应用 [P].

王玲玲 ;

王如意 ;

张子龙 ;

武子康 ;

方文郡 .

中国专利 :CN118186401A ,2024-06-14

[7]

一种无配体纳米晶体复合的钒酸铋薄膜、制备方法及应用 [P].

王洪强 ;

简洁 ;

刘为 ;

徐有勋 ;

叶谦 .

中国专利 :CN110215918A ,2019-09-10

[8]

一种硼酸镍钒修饰钒酸铋光电极及其制备方法和应用 [P].

徐东波 ;

余阳飞 ;

张松 ;

高娜 .

中国专利 :CN118360630A ,2024-07-19

[9]

电化学改性的钒酸铋-硫化钼-四氧化三钴催化电极及其制备方法和应用 [P].

丛燕青 ;

张同同 ;

丁雯琛 ;

张文华 ;

楼灵健 .

中国专利 :CN109589993A ,2019-04-09

[10]

一种钒酸铋及其制备方法和应用 [P].

洪昆权 ;

李宁 .

中国专利 :CN109133169B ,2019-01-04

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