一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210663188.2

申请日：

2022-06-13

公开(公告)号：

CN114899247A

公开(公告)日：

2022-08-12

发明(设计)人：

刘贤金彭碧周塘华易辉郭英江江庆

申请人：

申请人地址：

410205 湖南省长沙市高新开发区桐梓坡西路586号

IPC主分类号：

H01L310216

IPC分类号：

H01L31068 H01L3118 C23C1634 C23C1640 C23C1650

代理机构：

湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008

代理人：

黄丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种黑组件晶硅太阳能电池及其制备方法 [P].

黄辉巍 ;

杜庆晖 .

中国专利 :CN120583800B ,2025-09-30

[2]

一种黑组件晶硅太阳能电池及其制备方法 [P].

黄辉巍 ;

杜庆晖 .

中国专利 :CN120583800A ,2025-09-02

[3]

一种用于制备黑组件太阳能电池正膜的制备方法 [P].

胡茂界 ;

丁晨 ;

陈刚 .

中国专利 :CN111416022A ,2020-07-14

[4]

一种PERC晶硅太阳能电池及其制备方法 [P].

李志云 ;

蒋柱 ;

李跃 .

中国专利 :CN113809184A ,2021-12-17

[5]

一种晶体硅太阳能电池减反射膜 [P].

张晨 ;

张森林 .

中国专利 :CN103000705A ,2013-03-27

[6]

一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构 [P].

胡茂界 ;

丁晨 ;

陈刚 .

中国专利 :CN211654833U ,2020-10-09

[7]

美学正膜膜层结构和晶体硅太阳能电池 [P].

王宇航 ;

胡匀匀 ;

柳伟 ;

宗建鹏 ;

陈达明 .

中国专利 :CN220456428U ,2024-02-06

[8]

晶硅太阳能电池及其制作方法 [P].

徐卓 ;

杨学良 ;

杨德成 ;

胡志岩 ;

熊景峰 .

中国专利 :CN103579379B ,2014-02-12

[9]

晶硅太阳能电池及其制备方法 [P].

蒲天 .

中国专利 :CN119029053A ,2024-11-26

[10]

一种晶硅太阳能电池PECVD背膜优化工艺 [P].

李永伟 ;

任良为 ;

马政 ;

周芳超 ;

刘建强 .

中国专利 :CN114134482A ,2022-03-04

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